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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
UPA2201UT1M-T1-AT

UPA2201UT1M-T1-AT

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

9,000 -
UPA2201UT1M-T1-AT

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK3991-ZK-E1-AZ

2SK3991-ZK-E1-AZ

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

2,500 -
2SK3991-ZK-E1-AZ

数据表

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
UPA2521T1H-T1-AT

UPA2521T1H-T1-AT

MOSFET N-CH 30V 8A 8VSOF

Renesas Electronics Corporation

147,000 -
UPA2521T1H-T1-AT

数据表

- 8-SMD, Flat Lead Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8A (Ta) - 16.5mOhm @ 8A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 7.6 nC @ 5 V 30 V - 780 pF @ 15 V - - 8-VSOF - 1W (Ta) 150°C (TJ)
UPA2521T1H-T2-AT

UPA2521T1H-T2-AT

MOSFET N-CH 30V 8A 8VSOF

Renesas Electronics Corporation

84,000 -
UPA2521T1H-T2-AT

数据表

- 8-SMD, Flat Lead Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8A (Ta) - 16.5mOhm @ 8A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 7.6 nC @ 5 V 30 V - 780 pF @ 15 V - - 8-VSOF - 1W (Ta) 150°C (TJ)
2SJ213-T1-AZ

2SJ213-T1-AZ

P-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

57,695 -
2SJ213-T1-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJK03A4DPA-00#J53

RJK03A4DPA-00#J53

POWER TRANSISTOR, MOSFET

Renesas Electronics Corporation

9,000 -
RJK03A4DPA-00#J53

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NP100P04PLG-E1-AY

NP100P04PLG-E1-AY

MOSFET P-CH 40V 100A TO263

Renesas Electronics Corporation

2,300 -
NP100P04PLG-E1-AY

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tc) 4.5V, 10V 3.7mOhm @ 50A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 320 nC @ 10 V 40 V ±20V 15100 pF @ 10 V - - TO-263 - 1.8W (Ta), 200W (Tc) 175°C (TJ)
UPA1728G(0)-E1-AY

UPA1728G(0)-E1-AY

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

5,000 -
UPA1728G(0)-E1-AY

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NP100P04PDG-E1-AY

NP100P04PDG-E1-AY

MOSFET P-CH 40V 100A TO263

Renesas Electronics Corporation

1,497 -
NP100P04PDG-E1-AY

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tc) 4.5V, 10V 3.5mOhm @ 50A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 320 nC @ 10 V 40 V ±20V 15100 pF @ 10 V - - TO-263 - 1.8W (Ta), 200W (Tc) 175°C (TJ)
UPA1807GR-9JG-E1-A

UPA1807GR-9JG-E1-A

MOSFET N-CH 30V 12A 8TSSOP

Renesas Electronics Corporation

3,000 -
UPA1807GR-9JG-E1-A

数据表

- 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Ta) - 10mOhm @ 6A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 19 nC @ 10 V 30 V - 1000 pF @ 10 V - - 8-TSSOP - - -
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