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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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RJK0364DPA-WS#J0

RJK0364DPA-WS#J0

POWER TRANSISTOR, MOSFET

Renesas Electronics Corporation

340 -
RJK0364DPA-WS#J0

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SJ325-Z-E1-AZ

2SJ325-Z-E1-AZ

P-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

Renesas Electronics Corporation

1,000 -
2SJ325-Z-E1-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SJ325-AY

2SJ325-AY

P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

422 -
2SJ325-AY

数据表

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SJ325-Z-AY

2SJ325-Z-AY

P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

381 -
2SJ325-Z-AY

数据表

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK3570-ZK-E1-AZ

2SK3570-ZK-E1-AZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Renesas Electronics Corporation

800 -
2SK3570-ZK-E1-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NP40N055KHE-E1-AZ

NP40N055KHE-E1-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

800 -
NP40N055KHE-E1-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
HAT2141H-EL-E

HAT2141H-EL-E

MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK

Renesas Electronics Corporation

8,155 -
HAT2141H-EL-E

数据表

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Ta) 7V, 10V 27.5mOhm @ 7.5A, 10V Surface Mount - 46 nC @ 10 V 100 V ±20V 3200 pF @ 10 V - - LFPAK - 20W (Tc) 150°C (TJ)
2SJ297-91L

2SJ297-91L

P-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

83 -
2SJ297-91L

数据表

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJK60S7DPP-E0#T2

RJK60S7DPP-E0#T2

MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP

Renesas Electronics Corporation

27 -
RJK60S7DPP-E0#T2

数据表

- TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) 10V 125mOhm @ 15A, 10V Through Hole - 39 nC @ 10 V 600 V +30V, -20V 2300 pF @ 25 V - - TO-220FP - 34.7W (Tc) 150°C (TJ)
RJK60S7DPK-M0#T0

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MOSFET N-CH 600V 30A TO3PSG

Renesas Electronics Corporation

53 -
RJK60S7DPK-M0#T0

数据表

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) 10V 125mOhm @ 15A, 10V Through Hole - 39 nC @ 10 V 600 V +30V, -20V 2300 pF @ 25 V - - TO-3PSG - 227.2W (Tc) 150°C (TJ)
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