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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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2SJ162-E

2SJ162-E

MOSFET P-CH 160V 7A TO3P

Renesas Electronics Corporation

4,378 -
2SJ162-E

数据表

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7A (Ta) 10V - Through Hole - - 160 V ±15V 900 pF @ 10 V - - TO-3P - 100W (Tc) 150°C (TJ)
2SK1058-E

2SK1058-E

MOSFET N-CH 160V 7A TO3P

Renesas Electronics Corporation

8,861 -
2SK1058-E

数据表

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7A (Ta) - - Through Hole - - 160 V ±15V 600 pF @ 10 V - - TO-3P - 100W (Tc) 150°C (TJ)
2SK2221-E

2SK2221-E

MOSFET N-CH 200V 8A TO3P

Renesas Electronics Corporation

5,175 -
2SK2221-E

数据表

- TO-3P-3, SC-65-3 Tray Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8A (Ta) - - Through Hole - - 200 V ±20V 600 pF @ 10 V - - TO-3P - 100W (Tc) 150°C (TJ)
2SK2315TYTR-E

2SK2315TYTR-E

MOSFET N-CH 60V 2A UPAK

Renesas Electronics Corporation

5,290 -
2SK2315TYTR-E

数据表

- TO-243AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2A (Ta) 3V, 4V 450mOhm @ 1A, 4V Surface Mount - - 60 V ±20V 173 pF @ 10 V - - UPAK - 1W (Ta) 150°C (TJ)
HAF1002-90STL-E

HAF1002-90STL-E

MOSFET P-CH 60V 15A 4LDPAK

Renesas Electronics Corporation

2,114 -
HAF1002-90STL-E

数据表

- SC-83 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Ta) 4V, 10V 90mOhm @ 7.5A, 10V Surface Mount - - 60 V +3V, -16V - - - LDPAK - 50W (Tc) 150°C (TJ)
HAT2088R-EL-E

HAT2088R-EL-E

MOSFET N-CH 200V 2A 8SOP

Renesas Electronics Corporation

6,902 -
HAT2088R-EL-E

数据表

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2A (Ta) 10V 440mOhm @ 1A, 10V Surface Mount - 13 nC @ 10 V 200 V ±30V 450 pF @ 25 V - - 8-SOP - 2.5W (Ta) 150°C (TJ)
HAT2140H-EL-E

HAT2140H-EL-E

MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

Renesas Electronics Corporation

2,169 -
HAT2140H-EL-E

数据表

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25A (Ta) 7V, 10V 16mOhm @ 12.5A, 10V Surface Mount - 105 nC @ 10 V 100 V ±20V 6500 pF @ 10 V - - LFPAK - 30W (Tc) 150°C (TJ)
HAT2143H-EL-E

HAT2143H-EL-E

MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK

Renesas Electronics Corporation

4,137 -
HAT2143H-EL-E

数据表

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A (Ta) 4.5V, 10V 6.1mOhm @ 20A, 10V Surface Mount - 40 nC @ 10 V 30 V ±20V 2450 pF @ 10 V - - LFPAK - 20W (Tc) 150°C (TJ)
HAT2164H-EL-E

HAT2164H-EL-E

MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

Renesas Electronics Corporation

4,178 -
HAT2164H-EL-E

数据表

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60A (Ta) 4.5V, 10V 3.1mOhm @ 30A, 10V Surface Mount - 50 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 7600 pF @ 10 V - - LFPAK - 30W (Tc) 150°C (TJ)
HAT2171H-EL-E

HAT2171H-EL-E

MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK

Renesas Electronics Corporation

6,481 -
HAT2171H-EL-E

数据表

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A (Ta) 7V, 10V 4.8mOhm @ 20A, 10V Surface Mount - 52 nC @ 10 V 40 V ±20V 3750 pF @ 10 V - - LFPAK - 25W (Tc) 150°C (TJ)
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