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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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BUK7Y25-80E/GFX

BUK7Y25-80E/GFX

MOSFET N-CH 80V 39A LFPAK56

NXP USA Inc.

3,397 -
BUK7Y25-80E/GFX

数据表

TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 39A (Tc) 10V 25mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 4V @ 1mA 25.9 nC @ 10 V 80 V ±20V 1800 pF @ 25 V - - LFPAK56, Power-SO8 - 95W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK9Y11-30B/C1,115

BUK9Y11-30B/C1,115

TRANS N-CH LFPAK

NXP USA Inc.

6,143 -
BUK9Y11-30B/C1,115

数据表

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
CA/JCOP/MF4K/4B-UZ

CA/JCOP/MF4K/4B-UZ

CA/JCOP/MF4K/4B-UZ

NXP USA Inc.

2,527 -
CA/JCOP/MF4K/4B-UZ

数据表

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
NX2020P1X

NX2020P1X

NX2020P1X

NXP USA Inc.

8,203 -
NX2020P1X

数据表

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
NX7002AK.R

NX7002AK.R

NX7002AK.R

NXP USA Inc.

7,435 -
NX7002AK.R

数据表

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
PMZB290UN/FYL

PMZB290UN/FYL

PMZB290UN/FYL

NXP USA Inc.

4,536 -
PMZB290UN/FYL

数据表

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
PSMN0R9-25YLC/GFX

PSMN0R9-25YLC/GFX

PSMN0R9-25YLC/GFX

NXP USA Inc.

4,975 -
PSMN0R9-25YLC/GFX

数据表

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
PSMN2R2-30YLC/GFX

PSMN2R2-30YLC/GFX

PSMN2R2-30YLC/GFX

NXP USA Inc.

9,267 -
PSMN2R2-30YLC/GFX

数据表

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
PSMN2R9-25YLC/GFX

PSMN2R9-25YLC/GFX

PSMN2R9-25YLC/GFX

NXP USA Inc.

5,409 -
PSMN2R9-25YLC/GFX

数据表

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
PSMN2R9-30MLC/GFX

PSMN2R9-30MLC/GFX

PSMN2R9-30MLC/GFX

NXP USA Inc.

5,248 -
PSMN2R9-30MLC/GFX

数据表

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
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