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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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NX3008PBKT,115

NX3008PBKT,115

MOSFET P-CH 30V 200MA SC75

NXP USA Inc.

3,075 -
NX3008PBKT,115

数据表

- SC-75, SOT-416 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200mA (Ta) 2.5V, 4.5V 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Surface Mount 1.1V @ 250µA 0.72 nC @ 4.5 V 30 V ±8V 46 pF @ 15 V AEC-Q101 - SC-75 Automotive 250mW (Ta), 770mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMV90EN,215

PMV90EN,215

MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB

NXP USA Inc.

9,334 -
PMV90EN,215

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.9A (Ta) 4.5V, 10V 84mOhm @ 1.9A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 4 nC @ 10 V 30 V ±20V 132 pF @ 15 V - - SOT-23 (TO-236AB) - 310mW (Ta), 2.09W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
2N7002BKT,115

2N7002BKT,115

MOSFET N-CH 60V 290MA SC75

NXP USA Inc.

5,571 -
2N7002BKT,115

数据表

- SC-75, SOT-416 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 290mA (Ta) 5V, 10V 1.6Ohm @ 500mA, 10V Surface Mount 2.1V @ 250µA 0.6 nC @ 4.5 V 60 V ±20V 50 pF @ 10 V - - SC-75 - 260mW (Ta) 150°C (TJ)
PMV30UN,215

PMV30UN,215

MOSFET N-CH 20V 5.7A TO236AB

NXP USA Inc.

8,755 -
PMV30UN,215

数据表

TrenchMOS™ TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.7A (Tc) 1.8V, 4.5V 36mOhm @ 2A, 4.5V Surface Mount 700mV @ 1mA (Typ) 7.4 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 460 pF @ 20 V - - SOT-23 (TO-236AB) - 1.9W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
BSS84AKT,115

BSS84AKT,115

MOSFET P-CH 50V 150MA SC75

NXP USA Inc.

4,267 -
BSS84AKT,115

数据表

- SC-75, SOT-416 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150mA (Ta) 10V 7.5Ohm @ 100mA, 10V Surface Mount 2.1V @ 250µA 0.35 nC @ 5 V 50 V ±20V 36 pF @ 25 V - - SC-75 - 250mW (Ta), 770mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
BUK7908-40AIE127

BUK7908-40AIE127

N-CHANNEL POWER MOSFET

NXP USA Inc.

8,312 -
BUK7908-40AIE127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-5 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 8mOhm @ 50A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 84 nC @ 10 V 40 V ±20V 3140 pF @ 25 V AEC-Q101 Current Sensing TO-220-5 Automotive 221W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK661R6-30C118

BUK661R6-30C118

N-CHANNEL POWER MOSFET

NXP USA Inc.

8,109 -
BUK661R6-30C118

数据表

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 10V 1.6mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2.8V @ 1mA 229 nC @ 10 V 30 V ±16V 14964 pF @ 25 V AEC-Q101 - D2PAK Automotive 306W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PMN27XPE115

PMN27XPE115

SMALL SIGNAL FET

NXP USA Inc.

5,111 -
PMN27XPE115

数据表

- SC-74, SOT-457 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.4A (Ta) 2.5V, 4.5V 30mOhm @ 3A, 4.5V Surface Mount 1.25V @ 250µA 22.5 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 1770 pF @ 10 V - - 6-TSOP - 530mW (Ta), 8.33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMN40UPEA115

PMN40UPEA115

P-CHANNEL MOSFET

NXP USA Inc.

2,407 -
PMN40UPEA115

数据表

- SC-74, SOT-457 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.7A (Ta) 1.8V, 4.5V 43mOhm @ 3A, 4.5V Surface Mount 950mV @ 250µA 23 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 1820 pF @ 10 V - - 6-TSOP - 500mW (Ta), 8.33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMV65XPEA215

PMV65XPEA215

P-CHANNEL MOSFET

NXP USA Inc.

2,701 -
PMV65XPEA215

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.8A (Ta) 2.5V, 4.5V 78mOhm @ 2.8A, 4.5V Surface Mount 1.25V @ 250µA 9 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 618 pF @ 10 V AEC-Q101 - TO-236AB Automotive 480mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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