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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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BUK9611-55A,118

BUK9611-55A,118

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

NXP USA Inc.

4,135 -
BUK9611-55A,118

数据表

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 4.5V, 10V 10mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2V @ 1mA - 55 V ±10V 4230 pF @ 25 V - - D2PAK - 166W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK9616-55A,118

BUK9616-55A,118

MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK

NXP USA Inc.

6,634 -
BUK9616-55A,118

数据表

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 66A (Tc) 5V, 10V 15mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2V @ 1mA - 55 V ±10V 3085 pF @ 25 V AEC-Q101 - D2PAK Automotive 138W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK9618-55A,118

BUK9618-55A,118

MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK

NXP USA Inc.

2,763 -
BUK9618-55A,118

数据表

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 61A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2V @ 1mA 34 nC @ 5 V 55 V ±15V 2210 pF @ 25 V - - D2PAK - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK9620-100A,118

BUK9620-100A,118

MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK

NXP USA Inc.

7,914 -
BUK9620-100A,118

数据表

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 63A (Tc) 4.5V, 10V 19mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2V @ 1mA - 100 V ±10V 6385 pF @ 25 V - - D2PAK - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK9635-100A,118

BUK9635-100A,118

MOSFET N-CH 100V 41A D2PAK

NXP USA Inc.

5,282 -
BUK9635-100A,118

数据表

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 41A (Tc) 4.5V, 10V 34mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2V @ 1mA - 100 V ±10V 3573 pF @ 25 V - - D2PAK - 149W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK9635-55,118

BUK9635-55,118

MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK

NXP USA Inc.

8,670 -
BUK9635-55,118

数据表

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 34A (Tc) 5V 35mOhm @ 17A, 5V Surface Mount 2V @ 1mA - 55 V ±10V 1400 pF @ 25 V - - D2PAK - 85W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRFR220,118

IRFR220,118

MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK

NXP USA Inc.

3,054 -
IRFR220,118

数据表

TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.8A (Tc) 10V 800mOhm @ 2.9A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V 200 V ±20V 280 pF @ 25 V - - DPAK - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFZ24N,127

IRFZ24N,127

MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB

NXP USA Inc.

2,729 -
IRFZ24N,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 17A (Tc) 10V 70mOhm @ 10A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 19 nC @ 10 V 55 V ±20V 500 pF @ 25 V - - TO-220AB - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PHB11N06LT,118

PHB11N06LT,118

MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK

NXP USA Inc.

2,484 -
PHB11N06LT,118

数据表

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10.3A (Tc) 5V, 10V 130mOhm @ 5.5A, 10V Surface Mount 2V @ 1mA 5.2 nC @ 5 V 55 V ±15V 330 pF @ 25 V - - D2PAK - 33W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PHB143NQ04T,118

PHB143NQ04T,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

NXP USA Inc.

2,234 -
PHB143NQ04T,118

数据表

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 5.2mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 1mA 52 nC @ 10 V 40 V ±20V 2840 pF @ 25 V - - D2PAK - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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