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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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FFSB1065B-F085

FFSB1065B-F085

DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK

onsemi

1,530 -
FFSB1065B-F085

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 421pF @ 1V, 100kHz 27A Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSP1065A

FFSP1065A

DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L

onsemi

1,506 -
FFSP1065A

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 575pF @ 1V, 100kHz 15A - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
FFSB0865A

FFSB0865A

DIODE SIC 650V 15.4A D2PAK-3

onsemi

800 -
FFSB0865A

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.75 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 463pF @ 1V, 100kHz 15.4A - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSB0865B-F085

FFSB0865B-F085

DIODE SIL CARB 650V 10.1A D2PAK

onsemi

550 -
FFSB0865B-F085

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 336pF @ 1V, 100kHz 10.1A - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSP1665A

FFSP1665A

DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2

onsemi

1,882 -
FFSP1665A

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.75 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 887pF @ 1V, 100kHz 16A - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
FFSM1065A

FFSM1065A

DIODE SIL CARBIDE 650V 11A 4PQFN

onsemi

2,995 -
FFSM1065A

数据表

- 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 575pF @ 1V, 100kHz 11A - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
FFSH1265BDN-F085

FFSH1265BDN-F085

DIODE SIL CARB 650V 7.2A TO247-3

onsemi

756 -
FFSH1265BDN-F085

数据表

- TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 259pF @ 1V, 100kHz 7.2A Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
FFSP08120A

FFSP08120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO220-2L

onsemi

365 -
FFSP08120A

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.75 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 1200 V 538pF @ 1V, 100kHz 8A - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
RB751S40

RB751S40

DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD523F

onsemi

6,751 -
RB751S40

数据表

- SC-79, SOD-523F Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 30 V 370 mV @ 1 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 500 nA @ 10 V - 30mA - - Surface Mount SOD-523F -55°C ~ 125°C
MMSD459A

MMSD459A

DIODE GEN PURP SOD123

onsemi

7,097 -
MMSD459A

数据表

- SOD-123 Tape & Reel (TR) Obsolete Standard - - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - - Surface Mount SOD-123 150°C (Max)
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