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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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FFSP0665A

FFSP0665A

DIODE SIL CARB 650V 8.8A TO220L

onsemi

688 -
FFSP0665A

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.75 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 361pF @ 1V, 100kHz 8.8A - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
FFSD0865B

FFSD0865B

DIODE SIL CARB 650V 11.6A DPAK

onsemi

148 -
FFSD0865B

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 336pF @ 1V, 100kHz 11.6A - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
MBRA130LT3

MBRA130LT3

DIODE SCHOTTKY 30V 1A SMA

onsemi

5,355 -
MBRA130LT3

数据表

- DO-214AC, SMA Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 30 V 410 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 30 V - 1A - - Surface Mount SMA -
MBRA140T3

MBRA140T3

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMA

onsemi

9,464 -
MBRA140T3

数据表

- DO-214AC, SMA Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 40 V 550 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 40 V - 1A - - Surface Mount SMA -
MBRA160T3

MBRA160T3

DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA

onsemi

5,252 -
MBRA160T3

数据表

- DO-214AC, SMA Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 60 V 510 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 60 V - 1A - - Surface Mount SMA -
FFSP1065B-F085

FFSP1065B-F085

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2

onsemi

789 -
FFSP1065B-F085

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 421pF @ 1V, 100kHz 10A Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
FFSD0865B-F085

FFSD0865B-F085

DIODE SIL CARB 650V 11.6A DPAK

onsemi

3,693 -
FFSD0865B-F085

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 336pF @ 1V, 100kHz 11.6A - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
FFSM0665B

FFSM0665B

DIODE SIL CARB 650V 9.1A 4PQFN

onsemi

2,980 -
FFSM0665B

数据表

- 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 259pF @ 1V, 100kHz 9.1A - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
RHRP1560-F102

RHRP1560-F102

DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2

onsemi

9,096 -
RHRP1560-F102

数据表

- TO-220-2 Tube Obsolete Standard 600 V 2.1 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 100 µA @ 600 V - 15A - - Through Hole TO-220-2 -65°C ~ 175°C
RHRP30120-F102

RHRP30120-F102

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220-2

onsemi

4,262 -
RHRP30120-F102

数据表

- TO-220-2 Tube Obsolete Standard 1200 V 3.2 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 85 ns 250 µA @ 1200 V - 30A - - Through Hole TO-220-2 -65°C ~ 175°C
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