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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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BAR43

BAR43

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3

onsemi

5,745 -
BAR43

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 30 V 800 mV @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 5 ns 500 nA @ 25 V - 200mA - - Surface Mount SOT-23-3 150°C (Max)
FFSD0665A

FFSD0665A

DIODE SIL CARBIDE 650V 11A DPAK

onsemi

2,396 -
FFSD0665A

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.75 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 361pF @ 1V, 100kHz 11A - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
MMBD4148-D87Z

MMBD4148-D87Z

DIODE GP 100V 200MA SOT23-3

onsemi

9,563 -
MMBD4148-D87Z

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 100 V 1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 5 µA @ 75 V 4pF @ 0V, 1MHz 200mA - - Surface Mount SOT-23-3 150°C (Max)
NGTD5R65F2WP

NGTD5R65F2WP

DIODE GEN PURP 650V DIE

onsemi

8,187 -
NGTD5R65F2WP

数据表

- Die Bulk Active Standard 650 V 1.3 V @ 20 A - - 1 µA @ 650 V - - - - Surface Mount Die 175°C (Max)
NGTD8R65F2WP

NGTD8R65F2WP

DIODE GEN PURP 650V DIE

onsemi

7,953 -
NGTD8R65F2WP

数据表

- Die Bulk Active Standard 650 V 2.8 V @ 30 A - - 1 µA @ 650 V - - - - Surface Mount Die 175°C (Max)
NGTD17R120F2SWK

NGTD17R120F2SWK

DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

onsemi

5,204 -
NGTD17R120F2SWK

数据表

- Die Canister Obsolete Standard 1200 V 1.8 V @ 35 A - - 1 µA @ 1200 V - - - - Surface Mount Die 175°C (Max)
SURHS8160T3G

SURHS8160T3G

DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

onsemi

8,163 -
SURHS8160T3G

数据表

- DO-214AA, SMB Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 600 V 2.4 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 20 µA @ 600 V - 1A Automotive AEC-Q101 Surface Mount SMB -65°C ~ 175°C
NSR20204NXT5G

NSR20204NXT5G

DIODE SCHOTTKY 20V 2A 2DSN

onsemi

7,205 -
NSR20204NXT5G

数据表

- 0402 (1006 Metric) Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 20 V 600 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 28 ns 80 µA @ 20 V 75pF @ 2V, 1MHz 2A Automotive AEC-Q101 Surface Mount 2-DSN (1x0.6), (0402) 150°C (Max)
NTS1045EMFST1G

NTS1045EMFST1G

DIODE SCHOTTKY 45V 10A 5DFN

onsemi

9,534 -
NTS1045EMFST1G

数据表

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 45 V 600 mV @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V 300pF @ 45V, 1MHz 10A Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) -55°C ~ 150°C
FFSP1065B

FFSP1065B

DIODE SIL CARB 650V 11A TO220-2

onsemi

628 -
FFSP1065B

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 421pF @ 1V, 100kHz 11A - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
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