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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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FFSH1065B-F085

FFSH1065B-F085

DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO247

onsemi

1,685 -
FFSH1065B-F085

数据表

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 421pF @ 1V, 100kHz 11.5A Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
FFSP4065BDN-F085

FFSP4065BDN-F085

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-3

onsemi

756 -
FFSP4065BDN-F085

数据表

- TO-220-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz 20A Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220-3 -55°C ~ 175°C
FFSH20120A-F085

FFSH20120A-F085

DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2

onsemi

398 -
FFSH20120A-F085

数据表

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1220pF @ 1V, 100KHz 30A Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
MBRM140T3

MBRM140T3

DIODE SCHOTTKY 40V 1A POWERMITE

onsemi

6,504 -
MBRM140T3

数据表

- DO-216AA Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 40 V 550 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 40 V - 1A - - Surface Mount Powermite -
MBRM110ET3

MBRM110ET3

DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE

onsemi

2,461 -
MBRM110ET3

数据表

- DO-216AA Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 10 V 530 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 µA @ 10 V - 1A - - Surface Mount Powermite -55°C ~ 150°C
MBRM110LT3

MBRM110LT3

DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE

onsemi

6,792 -
MBRM110LT3

数据表

- DO-216AA Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 10 V 365 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 10 V - 1A - - Surface Mount Powermite -55°C ~ 125°C
MBRM120LT3

MBRM120LT3

DIODE SCHOTTKY 1A 20V POWERMITE

onsemi

8,577 -
MBRM120LT3

数据表

- DO-216AA Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 20 V 450 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 400 µA @ 20 V - 1A - - Surface Mount Powermite -
NTS10120EMFST3G

NTS10120EMFST3G

DIODE SCHOTTKY 120V 10A 5DFN

onsemi

6,561 -
NTS10120EMFST3G

数据表

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 120 V 820 mV @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 30 µA @ 120 V - 10A - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) -55°C ~ 175°C
FFSH20120ADN-F085

FFSH20120ADN-F085

DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO247-3

onsemi

304 -
FFSH20120ADN-F085

数据表

- TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 612pF @ 1V, 100kHz 15A Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
FFSH4065BDN-F085

FFSH4065BDN-F085

DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3

onsemi

140 -
FFSH4065BDN-F085

数据表

- TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz 20A Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
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