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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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JANS1N5619/TR

JANS1N5619/TR

DIODE GEN PURP 600V 1A A AXIAL

Microchip Technology

6,804 -
JANS1N5619/TR

数据表

- A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns - - 1A Military MIL-PRF-19500/429 Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
JANTX1N1204AR

JANTX1N1204AR

DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA

Microchip Technology

9,693 -
JANTX1N1204AR

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 2.3 V @ 240 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 400 V - 12A Military MIL-PRF-19500/260 Stud Mount DO-203AA -65°C ~ 150°C
JANTX1N1202AR

JANTX1N1202AR

DIODE GP REV 200V 12A DO203AA

Microchip Technology

2,051 -
JANTX1N1202AR

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 1.35 V @ 38 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 200 V - 12A Military MIL-PRF-19500/260 Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
UES1305HR2

UES1305HR2

DIODE GEN PURP 300V 5A E AXIAL

Microchip Technology

7,734 -
UES1305HR2

数据表

- E, Axial Bulk Active Standard 300 V 1.25 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns - - 5A - - Through Hole E, Axial -
UES706R

UES706R

DIODE GEN PURP 400V 20A DO203AA

Microchip Technology

3,139 -
UES706R

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 1.25 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns - - 20A - - Stud Mount DO-203AA (DO-4) -
1N6097

1N6097

SCHOTTKY RECTIFIER

Microchip Technology

6,493 -
1N6097

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky 30 V 600 mV @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 30 V - 50A - - Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 150°C
1N6096

1N6096

SCHOTTKY RECTIFIER

Microchip Technology

5,049 -
1N6096

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Schottky 40 V 600 mV @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.5 mA @ 40 V - 25A - - Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
UF110SM/TR

UF110SM/TR

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Microchip Technology

3,768 -
UF110SM/TR

数据表

- DO-213AB, MELF (Glass) Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 690 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 100 V 70pF @ 5V, 1MHz 1A - - Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) -55°C ~ 125°C
1N5332

1N5332

DIODE GEN PURP 1.2KV 35A DO5

Microchip Technology

9,691 -
1N5332

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1200 V 1.19 V @ 90 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 2 µA @ 1200 V - 35A - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -65°C ~ 200°C
UF140SM

UF140SM

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Microchip Technology

3,153 -
UF140SM

数据表

- DO-213AB, MELF (Glass) Bulk Active Standard 400 V 1 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 400 V - 1A - - Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) -65°C ~ 175°C
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