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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
JANTX1N1204A

JANTX1N1204A

DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA

Microchip Technology

8,725 -
JANTX1N1204A

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 400 V 2.3 V @ 240 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 400 V - 12A Military MIL-PRF-19500/260 Stud Mount DO-203AA -65°C ~ 150°C
JANTX1N1206A

JANTX1N1206A

DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA

Microchip Technology

6,590 -
JANTX1N1206A

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 600 V 1.35 V @ 38 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 600 V - 12A Military MIL-PRF-19500/260 Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
JAN1N5822US/TR

JAN1N5822US/TR

DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

4,776 -
JAN1N5822US/TR

数据表

- SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Schottky 40 V 500 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - - - 3A Military MIL-PRF-19500/620 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 150°C
SD41

SD41

DIODE SCHOTTKY 30A 35V DO4

Microchip Technology

2,112 -
SD41

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Schottky 35 V 680 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.5 mA @ 35 V - 30A - - Chassis, Stud Mount - -
S40A10

S40A10

DIODE GEN PURP 40A DO5

Microchip Technology

2,231 -
S40A10

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard - 1.1 V @ 40 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 3 µs - - 40A - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -
S40A4

S40A4

DIODE GEN PURP 400V 40A DO5

Microchip Technology

2,818 -
S40A4

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 400 V 1.1 V @ 40 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 3 µs - - 40A - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -
S40A6

S40A6

DIODE GEN PURP 600V 40A DO5

Microchip Technology

5,399 -
S40A6

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 600 V 1.1 V @ 40 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 3 µs - - 40A - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -
S40A8

S40A8

DIODE GEN PURP 800V 40A DO5

Microchip Technology

8,541 -
S40A8

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 800 V 1.1 V @ 40 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 3 µs - - 40A - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -
JANTX1N1190R

JANTX1N1190R

DIODE GEN PURP 600V 35A DO5

Microchip Technology

6,927 -
JANTX1N1190R

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 1.4 V @ 110 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 600 V - 35A Military MIL-PRF-19500/297 Stud Mount DO-5 -65°C ~ 175°C
JAN1N5822US

JAN1N5822US

DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

7,106 -
JAN1N5822US

数据表

- SQ-MELF, B Bulk Active Schottky 40 V 500 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - - - 3A Military MIL-PRF-19500/620 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 150°C
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