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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
UES801R

UES801R

DIODE GEN PURP 50V 70A DO5

Microchip Technology

4,749 -
UES801R

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 50 V 975 mV @ 70 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 25 µA @ 50 V - 70A - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) 175°C (Max)
UES802R

UES802R

DIODE GEN PURP 100V 70A DO5

Microchip Technology

8,426 -
UES802R

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 25 µA @ 100 V - 70A - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -
UES803R

UES803R

DIODE GEN PURP 150V 70A DO5

Microchip Technology

9,883 -
UES803R

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 150 V - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 25 µA @ 150 V - 70A - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -
UES804R

UES804R

RECTIFIER

Microchip Technology

6,140 -
UES804R

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
SD24145C

SD24145C

DIODE SCHOTTKY 45V 30A TO204AA

Microchip Technology

8,703 -
SD24145C

数据表

- TO-204AA, TO-3 Bulk Active Schottky 45 V 700 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.5 mA @ 45 V - 30A - - Through Hole TO-204AA (TO-3) -65°C ~ 175°C
JANTXV1N3671AR

JANTXV1N3671AR

DIODE GP REV 800V 12A DO203AA

Microchip Technology

8,381 -
JANTXV1N3671AR

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 1.35 V @ 38 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 800 V - 12A Military MIL-PRF-19500/260 Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
JANTXV1N3673AR

JANTXV1N3673AR

DIODE GP REV 1KV 12A DO203AA

Microchip Technology

5,795 -
JANTXV1N3673AR

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 1.35 V @ 38 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1000 V - 12A Military MIL-PRF-19500/260 Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
JANTXV1N3671R

JANTXV1N3671R

DIODE GEN PURP REV 800V 22A DO4

Microchip Technology

9,836 -
JANTXV1N3671R

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 1.2 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 22A Military MIL-PRF-19500/260 Stud Mount DO-4 (DO-203AA) -65°C ~ 200°C
SD241

SD241

DIODE SCHOTTKY 35V 30A TO204AA

Microchip Technology

5,454 -
SD241

数据表

- TO-204AA, TO-3 Bulk Active Schottky 35 V 700 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.5 mA @ 35 V - 30A - - Through Hole TO-204AA (TO-3) -65°C ~ 175°C
JANS1N5619

JANS1N5619

DIODE GEN PURP 600V 1A A AXIAL

Microchip Technology

4,893 -
JANS1N5619

数据表

- A, Axial Bulk Active Standard 600 V 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns - - 1A Military MIL-PRF-19500/429 Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
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