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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
1N3492R

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DIODE GEN PURP REV 100V 35A DO21

Microchip Technology

9,936 -
1N3492R

数据表

- DO-208AA Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - 35A - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3491

1N3491

DIODE GEN PURP 50V 35A DO21

Microchip Technology

3,975 -
1N3491

数据表

- DO-208AA Bulk Active Standard 50 V 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 35A - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3493

1N3493

DIODE GEN PURP 200V 35A DO21

Microchip Technology

4,066 -
1N3493

数据表

- DO-208AA Bulk Active Standard 200 V 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 200 V - 35A - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3492

1N3492

DIODE GEN PURP 100V 35A DO21

Microchip Technology

6,406 -
1N3492

数据表

- DO-208AA Bulk Active Standard 100 V 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - 35A - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3495

1N3495

DIODE GEN PURP 400V 35A DO21

Microchip Technology

9,833 -
1N3495

数据表

- DO-208AA Bulk Active Standard 400 V 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 400 V - 35A - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3494R

1N3494R

DIODE GEN PURP REV 300V 35A DO21

Microchip Technology

3,947 -
1N3494R

数据表

- DO-208AA Bulk Active Standard, Reverse Polarity 300 V 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 300 V - 35A - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3495R

1N3495R

DIODE GEN PURP REV 400V 35A DO21

Microchip Technology

4,238 -
1N3495R

数据表

- DO-208AA Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 400 V - 35A - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3491R

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DIODE GEN PURP REV 50V 35A DO21

Microchip Technology

7,347 -
1N3491R

数据表

- DO-208AA Bulk Active Standard, Reverse Polarity 50 V 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 35A - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
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DIODE GEN PURP 300V 35A DO21

Microchip Technology

6,024 -
1N3494

数据表

- DO-208AA Bulk Active Standard 300 V 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 300 V - 35A - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
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DIODE GEN PURP REV 200V 35A DO21

Microchip Technology

6,080 -
1N3493R

数据表

- DO-208AA Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 200 V - 35A - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
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