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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
UES804

UES804

DIODE GEN PURP 200V 50A DO5

Microchip Technology

4,249 -
UES804

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 200 V 1.25 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns - - 50A - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -55°C ~ 150°C
UES802

UES802

DIODE GEN PURP 100V 70A DO5

Microchip Technology

2,957 -
UES802

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 100 V 975 mV @ 70 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns - - 70A - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) 175°C (Max)
JANS1N3595AUR-1/TR

JANS1N3595AUR-1/TR

SIGNAL OR COMPUTER DIODE

Microchip Technology

5,320 -
JANS1N3595AUR-1/TR

数据表

- DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Standard 125 V 920 mV @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 3 µs 2 nA @ 125 V - 150mA Military MIL-S-19500-241 Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
JANS1N3595AUS/TR

JANS1N3595AUS/TR

SIGNAL OR COMPUTER DIODE

Microchip Technology

8,486 -
JANS1N3595AUS/TR

数据表

- SQ-MELF, D Tape & Reel (TR) Active Standard 125 V 920 mV @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 3 µs 2 nA @ 125 V 8pF @ 0V, 1MHz 150mA Military MIL-S-19500-241 Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
JAN1N1614R

JAN1N1614R

DIODE GP REV 200V 15A DO203AA

Microchip Technology

6,906 -
JAN1N1614R

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 1.5 V @ 15 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 200 V - 15A Military MIL-PRF-19500/162 Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
JAN1N1615R

JAN1N1615R

DIODE GP REV 400V 15A DO203AA

Microchip Technology

7,110 -
JAN1N1615R

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 1.5 V @ 15 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 400 V - 15A Military MIL-PRF-19500/162 Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
JAN1N1616R

JAN1N1616R

DIODE GP REV 600V 15A DO203AA

Microchip Technology

4,835 -
JAN1N1616R

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 1.5 V @ 15 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 600 V - 15A Military MIL-PRF-19500/162 Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
JAN1N3766R

JAN1N3766R

DIODE GEN PURP REV 800V 35A DO5

Microchip Technology

8,846 -
JAN1N3766R

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 1.4 V @ 110 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 800 V - 35A Military MIL-PRF-19500/297 Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 175°C
JAN1N3768R

JAN1N3768R

DIODE GEN PURP REV 1KV 35A DO5

Microchip Technology

3,724 -
JAN1N3768R

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 1.4 V @ 110 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1000 V - 35A Military MIL-PRF-19500/297 Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 175°C
JANTXV1N5711UB

JANTXV1N5711UB

DIODE SCHOTTKY 50V UB

Microchip Technology

6,081 -
JANTXV1N5711UB

数据表

- 4-SMD, No Lead Bulk Active Schottky 50 V 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz - Military MIL-PRF-19500/444 Surface Mount UB -65°C ~ 150°C
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