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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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MNS1N5822US

MNS1N5822US

DIODE SCHOTTKY 40V 3A SQ-MELF B

Microchip Technology

5,806 -
MNS1N5822US

数据表

- SQ-MELF, B Bulk Active Schottky 40 V 500 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 40 V - 3A Military MIL-PRF-19500/620 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 125°C
JAN1N1202A

JAN1N1202A

DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

Microchip Technology

6,362 -
JAN1N1202A

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 200 V 1.35 V @ 38 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 200 V - 12A Military MIL-PRF-19500/260 Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
1N5812R

1N5812R

DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA

Microchip Technology

3,143 -
1N5812R

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 50 V 950 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 50 V 300pF @ 10V, 1MHz 20A - - Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
1N5814R

1N5814R

DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Microchip Technology

2,631 -
1N5814R

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V 950 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 100 V 300pF @ 10V, 1MHz 20A - - Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
1N5816R

1N5816R

DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA

Microchip Technology

9,725 -
1N5816R

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 150 V 950 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 150 V 300pF @ 10V, 1MHz 20A - - Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
JANTXV1N5712UB

JANTXV1N5712UB

DIODE SCHOTTKY UB

Microchip Technology

6,731 -
JANTXV1N5712UB

数据表

- 3-SMD, No Lead Bulk Active Schottky - 1 V @ 35 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - - 2pF @ 0V, 1MHz - Military MIL-PRF-19500/444 Surface Mount UB -
JANTXV1N5712UB/TR

JANTXV1N5712UB/TR

SMALL-SIGNAL SCHOTTKY

Microchip Technology

2,482 -
JANTXV1N5712UB/TR

数据表

- 3-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active Schottky 16 V 1 V @ 35 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 150 nA @ 16 V 2pF @ 0V, 1MHz 75mA Military MIL-PRF-19500/444 Surface Mount UB -65°C ~ 150°C
R20100

R20100

RECTIFIER

Microchip Technology

6,216 -
R20100

数据表

R20 DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 1.3 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1000 V - 16A - - Stud Mount DO-4 (DO-203AA) -65°C ~ 200°C
UES801

UES801

DIODE GEN PURP 50V 70A DO5

Microchip Technology

5,635 -
UES801

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 50 V 975 mV @ 70 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 25 µA @ 50 V - 70A - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) 175°C (Max)
UES802E3

UES802E3

DIODE GEN PURP 100V 70A DO5

Microchip Technology

7,527 -
UES802E3

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 100 V 975 mV @ 70 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 25 µA @ 100 V - 70A - - Stud Mount DO-5 175°C
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