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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
JANS1N5621

JANS1N5621

DIODE GEN PURP 800V 1A A AXIAL

Microchip Technology

8,319 -
JANS1N5621

数据表

- A, Axial Bulk Active Standard 800 V 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns - - 1A Military MIL-PRF-19500/429 Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
JANS1N5622

JANS1N5622

DIODE GEN PURP 1A A AXIAL

Microchip Technology

6,650 -
JANS1N5622

数据表

- A, Axial Bulk Active Standard - 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 1000 V - 1A Military MIL-PRF-19500/427 Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
JANS1N5622/TR

JANS1N5622/TR

DIODE GEN PURP 1A A AXIAL

Microchip Technology

6,292 -
JANS1N5622/TR

数据表

- A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard - 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 1000 V - 1A Military MIL-PRF-19500/427 Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
30FQ045

30FQ045

DIODE SCHOTTKY 45V 30A DO4

Microchip Technology

9,512 -
30FQ045

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Schottky 45 V 630 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.5 mA @ 45 V - 30A - - Stud Mount DO-4 (DO-203AA) -55°C ~ 175°C
30FQ040

30FQ040

DIODE SCHOTTKY 40V 30A DO4

Microchip Technology

2,682 -
30FQ040

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Schottky 40 V 630 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.5 mA @ 40 V - 30A - - Stud Mount DO-4 (DO-203AA) -55°C ~ 175°C
30FQ035

30FQ035

DIODE SCHOTTKY 35V 30A DO4

Microchip Technology

6,874 -
30FQ035

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Schottky 35 V 630 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.5 mA @ 35 V - 30A - - Stud Mount DO-4 (DO-203AA) -55°C ~ 175°C
JANTX1N3671AR

JANTX1N3671AR

DIODE GP REV 800V 12A DO203AA

Microchip Technology

8,327 -
JANTX1N3671AR

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 1.35 V @ 38 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 800 V - 12A Military MIL-PRF-19500/260 Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
JANTX1N3673AR

JANTX1N3673AR

DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Microchip Technology

3,013 -
JANTX1N3673AR

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 1.35 V @ 38 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1000 V - 12A Military MIL-PRF-19500/260 Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
JANTX1N3671R

JANTX1N3671R

DIODE GEN PURP REV 800V 22A DO4

Microchip Technology

4,084 -
JANTX1N3671R

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 1.2 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 22A Military MIL-PRF-19500/260 Stud Mount DO-4 (DO-203AA) -65°C ~ 200°C
JANS1N5621/TR

JANS1N5621/TR

DIODE GEN PURP 800V 1A A AXIAL

Microchip Technology

8,661 -
JANS1N5621/TR

数据表

- A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns - - 1A Military MIL-PRF-19500/429 Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
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