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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
36DN30ELEMENTEVXPSA1

36DN30ELEMENTEVXPSA1

DIODE GENERAL PURPOSE E-EUPEC-0

Infineon Technologies

3,204 -
36DN30ELEMENTEVXPSA1

数据表

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
D400N20BXPSA1

D400N20BXPSA1

DIODE GP 1.2KV 400A DSW41-1

Infineon Technologies

7,433 -
D400N20BXPSA1

数据表

- BG-DSW41-1 Tray Obsolete Standard 1200 V - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - 400A - - Stud Mount BG-DSW41-1 180°C (Max)
D251K18BB01XPSA1

D251K18BB01XPSA1

DIODE GP 1.8KV 255A DSW27-1

Infineon Technologies

4,492 -
D251K18BB01XPSA1

数据表

- BG-DSW27-1 Tray Obsolete Standard 1800 V - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 30 mA @ 1800 V - 255A - - Stud Mount BG-DSW27-1 -40°C ~ 180°C
D251N18BB01XPSA1

D251N18BB01XPSA1

DIODE GP 1.8KV 255A DSW27-1

Infineon Technologies

5,326 -
D251N18BB01XPSA1

数据表

- BG-DSW27-1 Tray Obsolete Standard 1800 V - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 30 mA @ 1800 V - 255A - - Stud Mount BG-DSW27-1 -40°C ~ 180°C
BAS1602LE6327XTMA1

BAS1602LE6327XTMA1

DIODE GP 80V 200MA TSLP-2-1

Infineon Technologies

4,872 -
BAS1602LE6327XTMA1

数据表

- SOD-882 Tape & Reel (TR) Last Time Buy Standard 80 V 1.25 V @ 150 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 1 µA @ 75 V 2pF @ 0V, 1MHz 200mA - - Surface Mount PG-TSLP-2-1 150°C (Max)
DD171N16KKHOSA1

DD171N16KKHOSA1

DIODE MODULE DK

Infineon Technologies

2,779 -
DD171N16KKHOSA1

数据表

DD171N - Tray Obsolete - - - - - - - - - - - - -
DZ600N16KB01HPSA1

DZ600N16KB01HPSA1

DIODE GP 1.8KV 735A PB501-1

Infineon Technologies

8,551 -
DZ600N16KB01HPSA1

数据表

- Module Tray Obsolete Standard 1800 V - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 mA @ 1800 V - 735A - - Chassis Mount BG-PB501-1 150°C (Max)
IDC50S120C5X7SA1

IDC50S120C5X7SA1

SIC CHIP

Infineon Technologies

9,790 -
IDC50S120C5X7SA1

数据表

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
D1821SH45TS05XOSA1

D1821SH45TS05XOSA1

DIODE GP 4.5KV 1710A D10026K-1

Infineon Technologies

4,802 -
D1821SH45TS05XOSA1

数据表

- DO-200, Variant Bulk Obsolete Standard 4500 V - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - 1710A - - Chassis Mount BG-D10026K-1 -
D4201N18TS01VFXPSA1

D4201N18TS01VFXPSA1

DIODE GP 2.2KV 6010A D12035K-1

Infineon Technologies

8,505 -
D4201N18TS01VFXPSA1

数据表

- DO-200AE Bulk Obsolete Standard 2200 V 1 V @ 4000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 200 mA @ 2200 V - 6010A - - Chassis Mount BG-D12035K-1 -40°C ~ 160°C
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