富聪科技订单满￥1000免运费
关注我们：
富聪科技
24小时咨询热线 0755 83957878
全部分类
  • 产品
  • 丝印
  • 替代
    热门搜索 TJA1057T/1Z B88069X0270S102 ATMEGA2560-16AU LPC812M101JDH20FP DMS-40PC-4/20S-24RH-I-C DRV8244SQRYJRQ1 ATSHA204A-SSHDA-T DS3231SN#T&R MCP6042T-E/MSVAO BGA7H1BN6E6327XTSA1
    立即询价
    富聪科技
    首页 > 产品  > 分立半导体产品 > 晶体管 > 绝缘栅双极型晶体管（IGBTs） > 单个 IGBTs

    单个 IGBTs

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿（最大值） 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on)）（最大值）@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

    全部重置
    全部应用
    结果
    图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿（最大值） 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on)）（最大值）@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度
    APT40GP60BG

    APT40GP60BG

    IGBT PT 600V 100A TO247

    Microchip Technology

    		 9,603 -
    询价单
    		APT40GP60BG

    数据表

         		POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active PT 600 V 160 A 2.7V @ 15V, 40A 543 W Through Hole 385µJ (on), 352µJ (off) Standard 100 A 135 nC 20ns/64ns - 400V, 40A, 5Ohm, 15V TO-247 [B] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
    APT40GP60B2DQ2G

    APT40GP60B2DQ2G

    IGBT PT 600V 100A

    Microchip Technology

    		 8,713 -
    询价单
    		APT40GP60B2DQ2G

    数据表

         		POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active PT 600 V 160 A 2.7V @ 15V, 40A 543 W Through Hole 385µJ (on), 350µJ (off) Standard 100 A 135 nC 20ns/64ns - 400V, 40A, 5Ohm, 15V - - - -55°C ~ 150°C (TJ)
    APT70GR120L

    APT70GR120L

    IGBT NPT 1200V 160A TO264

    Microchip Technology

    		 4,755 -
    询价单
    		APT70GR120L

    数据表

         		- TO-264-3, TO-264AA Tube Active NPT 1200 V 280 A 3.2V @ 15V, 70A 961 W Through Hole 3.82mJ (on), 2.58mJ (off) Standard 160 A 544 nC 33ns/278ns - 600V, 70A, 4.3Ohm, 15V TO-264 - - -55°C ~ 150°C (TJ)
    APT70GR120B2

    APT70GR120B2

    IGBT NPT 1200V 160A TO247

    Microchip Technology

    		 3,639 -
    询价单
    		APT70GR120B2

    数据表

         		- TO-247-3 Tube Active NPT 1200 V 280 A 3.2V @ 15V, 70A 961 W Through Hole 3.82mJ (on), 2.58mJ (off) Standard 160 A 544 nC 33ns/278ns - 600V, 70A, 4.3Ohm, 15V TO-247 - - -55°C ~ 150°C (TJ)
    IXXX140N65B4H1

    IXXX140N65B4H1

    IGBT

    IXYS

    		 9,932 -
    询价单
    		IXXX140N65B4H1

    数据表

         		XPT™, GenX4™ TO-247-3 Variant Tube Active - 650 V 840 A 1.9V @ 15V, 120A 1200 W Through Hole 5.75mJ (on), 2.67mJ (off) Standard 340 A 250 nC 54ns/270ns - 400V, 100A, 4.7Ohm, 15V PLUS247™-3 - 105 ns -55°C ~ 175°C (TJ)
    IXYX100N65B3D1

    IXYX100N65B3D1

    IGBT PT 650V 225A PLUS247-3

    IXYS

    		 4,742 -
    询价单
    		IXYX100N65B3D1

    数据表

         		GenX3™, XPT™ TO-247-3 Variant Tube Obsolete PT 650 V 460 A 1.85V @ 15V, 70A 830 W Through Hole 1.27mJ (on), 1.37mJ (off) Standard 225 A 168 nC 29ns/150ns - 400V, 50A, 3Ohm, 15V PLUS247™-3 - 156 ns -55°C ~ 175°C (TJ)
    IXXK200N60B3

    IXXK200N60B3

    IGBT 600V 380A 1630W TO264

    IXYS

    		 7,913 -
    询价单
    		IXXK200N60B3

    数据表

         		GenX3™, XPT™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 600 V 900 A 1.7V @ 15V, 100A 1630 W Through Hole 2.85mJ (on), 2.9mJ (off) Standard 380 A 315 nC 48ns/160ns - 360V, 100A, 1Ohm, 15V TO-264 (IXXK) - - -55°C ~ 175°C (TJ)
    IXBT2N250-TR

    IXBT2N250-TR

    IGBT 2500V 5A TO268

    IXYS

    		 7,342 -
    询价单
    		IXBT2N250-TR

    数据表

         		BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active - 2500 V 13 A 3.5V @ 15V, 2A 32 W Surface Mount - Standard 5 A 10.6 nC 30ns/70ns - 2000V, 2A, 47Ohm, 15V TO-268 - 920 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
    IXBT42N170-TRL

    IXBT42N170-TRL

    IGBT 1700V 80A TO268

    IXYS

    		 2,970 -
    询价单
    		IXBT42N170-TRL

    数据表

         		BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active - 1700 V 300 A 2.8V @ 15V, 42A 360 W Surface Mount - Standard 80 A 188 nC 37ns/340ns - 850V, 42A, 10Ohm, 15V TO-268 - - -
    APT50GP60B2DQ2G

    APT50GP60B2DQ2G

    IGBT PT 600V 150A

    Microchip Technology

    		 6,824 -
    询价单
    		APT50GP60B2DQ2G

    数据表

         		POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active PT 600 V 190 A 2.7V @ 15V, 50A 625 W Through Hole 465µJ (on), 635µJ (off) Standard 150 A 165 nC 19ns/85ns - 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V - - - -55°C ~ 150°C (TJ)
    IXYK30N170CV1

    IXYK30N170CV1

    DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE TO-264(

    IXYS

    		 7,212 -
    询价单
    		IXYK30N170CV1

    数据表

         		XPT™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 1700 V 250 A 4V @ 15V, 30A 937 W Through Hole 3.6mJ (on), 1.8mJ (off) Standard 100 A 150 nC 16ns/143ns - 850V, 30A, 2.7Ohm, 15V TO-264 (IXYK) - 33 ns -55°C ~ 175°C (TJ)
    IXGX50N60AU1

    IXGX50N60AU1

    IGBT 600V 75A 300W TO247

    IXYS

    		 5,589 -
    询价单
    		IXGX50N60AU1

    数据表

         		HiPerFAST™ TO-247-3 Tube Obsolete - 600 V 200 A 2.7V @ 15V, 50A 300 W Through Hole 4.8mJ (off) Standard 75 A 200 nC 50ns/200ns - 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V TO-247AD - 50 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
    IXBT24N170

    IXBT24N170

    IGBT 1700V 60A TO268AA

    IXYS

    		 4,307 -
    询价单
    		IXBT24N170

    数据表

         		BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 1700 V 230 A 2.5V @ 15V, 24A 250 W Surface Mount - Standard 60 A 140 nC - - - TO-268AA - 1.06 µs -55°C ~ 150°C (TJ)
    IXGX55N120A3H1

    IXGX55N120A3H1

    IGBT 1200V 125A 460W PLUS247

    IXYS

    		 2,769 -
    询价单
    		IXGX55N120A3H1

    数据表

         		GenX3™ TO-247-3 Variant Tube Active PT 1200 V 400 A 2.3V @ 15V, 55A 460 W Through Hole 5.1mJ (on), 13.3mJ (off) Standard 125 A 185 nC 23ns/365ns - 960V, 55A, 3Ohm, 15V PLUS247™-3 - 200 ns -
    APT50GS60BRDQ2G

    APT50GS60BRDQ2G

    IGBT NPT 600V 93A TO247

    Microchip Technology

    		 6,927 -
    询价单
    		APT50GS60BRDQ2G

    数据表

         		Thunderbolt IGBT® TO-247-3 Tube Active NPT 600 V 195 A 3.15V @ 15V, 50A 415 W Through Hole 755µJ (off) Standard 93 A 235 nC 16ns/225ns - 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V TO-247 [B] - 25 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
    APT102GA60L

    APT102GA60L

    IGBT PT 600V 183A TO264

    Microchip Technology

    		 8,325 -
    询价单
    		APT102GA60L

    数据表

         		- TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 600 V 307 A 2.5V @ 15V, 62A 780 W Through Hole 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) Standard 183 A 294 nC 28ns/212ns - 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V TO-264 [L] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
    APT102GA60B2

    APT102GA60B2

    IGBT 600V 183A 780W TO247

    Microchip Technology

    		 2,847 -
    询价单
    		APT102GA60B2

    数据表

         		POWER MOS 8™ TO-247-3 Variant Tube Obsolete PT 600 V 307 A 2.5V @ 15V, 62A 780 W Through Hole 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) Standard 183 A 294 nC 28ns/212ns - 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V - - - -55°C ~ 150°C (TJ)
    APT80GA90LD40

    APT80GA90LD40

    IGBT PT 900V 145A TO264

    Microchip Technology

    		 3,262 -
    询价单
    		APT80GA90LD40

    数据表

         		POWER MOS 8™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 900 V 239 A 3.1V @ 15V, 47A 625 W Through Hole 1652µJ (on), 1389µJ (off) Standard 145 A 200 nC 18ns/149ns - 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V TO-264 - 25 ns -
    IGC70T120T8RQ

    IGC70T120T8RQ

    IGBT 1200V 75A DIE

    Infineon Technologies

    		 5,766 -
    询价单
    		IGC70T120T8RQ

    数据表

         		- Die Bulk Discontinued at Digi-Key Trench Field Stop 1200 V 225 A 2.42V @ 15V, 75A - Surface Mount - Standard - - - - - Die - - -
    IXGR24N120C3D1

    IXGR24N120C3D1

    IGBT 1200V 48A 200W ISOPLUS247

    IXYS

    		 9,046 -
    询价单
    		IXGR24N120C3D1

    数据表

         		GenX3™ TO-247-3 Tube Active PT 1200 V 96 A 4.2V @ 15V, 20A 200 W Through Hole 1.37mJ (on), 470µJ (off) Standard 48 A 79 nC 16ns/93ns - 600V, 20A, 5Ohm, 15V ISOPLUS247™ - 220 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
    共 4371 条记录«上一页1... 141142143144145146147148...219下一页»
    富聪科技

    搜索

     富聪科技

    产品

     富聪科技

    电话

     富聪科技

    用户
    富聪科技
    [email protected]
    0755 83957878