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    首页 > 产品  > 分立半导体产品 > 晶体管 > 绝缘栅双极型晶体管（IGBTs） > 单个 IGBTs

    单个 IGBTs

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿（最大值） 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on)）（最大值）@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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    IRGPC50UD2

    IRGPC50UD2

    IGBT W/DIODE 600V 55A TO-247AC

    Infineon Technologies

    		 2,554 -
    询价单
    		IRGPC50UD2

    数据表

         		- TO-247-3 Bag Obsolete - 600 V - 3V @ 15V, 27A 200 W Through Hole - Standard 55 A - - - - TO-247AC - - -55°C ~ 150°C (TJ)
    IXGR72N60C3

    IXGR72N60C3

    DISC IGBT PT-HIFREQUENCY ISOPLUS

    IXYS

    		 5,972 -
    询价单
    		IXGR72N60C3

    数据表

         		GenX3™ TO-247-3 Tube Obsolete PT 600 V 400 A 2.7V @ 15V, 50A 200 W Through Hole 1.03mJ (on), 480µJ (off) Standard 80 A 175 nC 27ns/77ns - 480V, 50A, 2Ohm, 15V ISOPLUS247™ - 37 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
    SGL40N150TU

    SGL40N150TU

    IGBT 1500V 40A 200W TO264

    onsemi

    		 4,196 -
    询价单
    		SGL40N150TU

    数据表

         		- TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete - 1500 V 120 A 4.7V @ 15V, 40A 200 W Through Hole - Standard 40 A 140 nC - - - TO-264-3 - - -55°C ~ 150°C (TJ)
    APT25GP120BDQ1G

    APT25GP120BDQ1G

    IGBT PT 1200V 69A TO247

    Microchip Technology

    		 9,067 -
    询价单
    		APT25GP120BDQ1G

    数据表

         		POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active PT 1200 V 90 A 3.9V @ 15V, 25A 417 W Through Hole 500µJ (on), 440µJ (off) Standard 69 A 110 nC 12ns/70ns - 600V, 25A, 5Ohm, 15V TO-247 [B] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
    IRG4PSH71U

    IRG4PSH71U

    IGBT 1200V 99A 350W SUPER247

    Infineon Technologies

    		 6,747 -
    询价单
    		IRG4PSH71U

    数据表

         		- TO-274AA Bag Obsolete - 1200 V 200 A 2.7V @ 15V, 70A 350 W Through Hole 4.77mJ (on), 9.54mJ (off) Standard 99 A 370 nC 51ns/280ns - 960V, 70A, 5Ohm, 15V SUPER-247™ (TO-274AA) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
    IXYT80N90C3

    IXYT80N90C3

    IGBT 900V 165A TO268AA

    IXYS

    		 4,535 -
    询价单
    		IXYT80N90C3

    数据表

         		GenX3™, XPT™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 900 V 360 A 2.7V @ 15V, 80A 830 W Surface Mount 4.3mJ (on), 1.9mJ (off) Standard 165 A 145 nC 34ns/90ns - 450V, 80A, 2Ohm, 15V TO-268AA - - -55°C ~ 175°C (TJ)
    AUIRGDC0250AKMA1

    AUIRGDC0250AKMA1

    IGBT 1200V 141A 543W SUPER220

    Infineon Technologies

    		 8,435 -
    询价单
    		AUIRGDC0250AKMA1

    数据表

         		- TO-273AA Tube Last Time Buy - 1200 V 99 A 1.8V @ 15V, 33A 543 W Through Hole 15mJ (off) Standard 141 A 151 nC -/485ns - 600V, 33A, 5Ohm, 15V SUPER-220™ (TO-273AA) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
    APT64GA90LD30

    APT64GA90LD30

    IGBT PT 900V 117A TO264

    Microchip Technology

    		 2,569 -
    询价单
    		APT64GA90LD30

    数据表

         		POWER MOS 8™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 900 V 193 A 3.1V @ 15V, 38A 500 W Through Hole 1192µJ (on), 1088µJ (off) Standard 117 A 162 nC 18ns/131ns - 600V, 38A, 4.7Ohm, 15V TO-264 [L] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
    IXA30RG1200DHG-TRR

    IXA30RG1200DHG-TRR

    IGBT PHASELEG 1200V 43A SMPD

    IXYS

    		 9,542 -
    询价单
    		IXA30RG1200DHG-TRR

    数据表

         		- 9-SMD Module Tape & Reel (TR) Active - 1200 V - 2.1V @ 15V, 25A 147 W Surface Mount 2.5mJ (on), 3mJ (off) Standard 43 A 76 nC 70ns/250ns - 600V, 25A, 39Ohm, 15V ISOPLUS-SMPD™.B - - -55°C ~ 150°C (TJ)
    IXYX200N65B3

    IXYX200N65B3

    IGBT

    IXYS

    		 6,003 -
    询价单
    		IXYX200N65B3

    数据表

         		XPT™, GenX3™ TO-247-3 Variant Tube Active - 650 V 1100 A 1.7V @ 15V, 100A 1560 W Through Hole 5mJ (on), 4mJ (off) Standard 410 A 340 nC 60ns/370ns - 400V, 100A, 0Ohm, 15V PLUS247™-3 - 108 ns -55°C ~ 175°C (TJ)
    IXGK120N60B3

    IXGK120N60B3

    DISC IGBT PT-MID FREQUENCY TO-26

    IXYS

    		 7,391 -
    询价单
    		IXGK120N60B3

    数据表

         		GenX3™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete PT 600 V 600 A 1.8V @ 15V, 100A 780 W Through Hole 2.9mJ (on), 3.5mJ (off) Standard 280 A 465 nC 40ns/227ns - 480V, 100A, 2Ohm, 15V TO-264 (IXGK) - 87 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
    IXYK200N65B3

    IXYK200N65B3

    IGBT

    IXYS

    		 8,947 -
    询价单
    		IXYK200N65B3

    数据表

         		XPT™, GenX3™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active - 650 V 1100 A 1.7V @ 15V, 100A 1560 W Through Hole 5mJ (on), 4mJ (off) Standard 410 A 340 nC 60ns/370ns - 400V, 100A, 0Ohm, 15V TO-264 - 108 ns -55°C ~ 175°C (TJ)
    IXA30RG1200DHG-TUB

    IXA30RG1200DHG-TUB

    IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD

    IXYS

    		 4,561 -
    询价单
    		IXA30RG1200DHG-TUB

    数据表

         		- 9-SMD Module Tube Active - 1200 V - 2.1V @ 15V, 25A 147 W Surface Mount 2.5mJ (on), 3mJ (off) Standard 43 A 76 nC 70ns/250ns - 600V, 25A, 39Ohm, 15V ISOPLUS-SMPD™.B - - -55°C ~ 150°C (TJ)
    IXXK200N60C3

    IXXK200N60C3

    IGBT 600V 340A 1630W TO264

    IXYS

    		 9,966 -
    询价单
    		IXXK200N60C3

    数据表

         		GenX3™, XPT™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 600 V 900 A 2.1V @ 15V, 100A 1630 W Through Hole 3mJ (on), 1.7mJ (off) Standard 340 A 315 nC 47ns/125ns - 360V, 100A, 1Ohm, 15V TO-264 (IXXK) - - -55°C ~ 175°C (TJ)
    APT40GR120B2SCD10

    APT40GR120B2SCD10

    IGBT 1200V 88A 500W TO247

    Microsemi Corporation

    		 2,147 -
    询价单
    		APT40GR120B2SCD10

    数据表

         		- TO-247-3 Tube Obsolete NPT 1200 V 160 A 3.2V @ 15V, 40A 500 W Through Hole 929µJ (on), 1070µJ (off) Standard 88 A 210 nC 20ns/166ns - 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V TO-247 - - -55°C ~ 150°C (TJ)
    IXGX35N120CD1

    IXGX35N120CD1

    IGBT 1200V 70A 350W PLUS247

    IXYS

    		 2,839 -
    询价单
    		IXGX35N120CD1

    数据表

         		HiPerFAST™ TO-247-3 Variant Tube Obsolete - 1200 V 140 A 4V @ 15V, 35A 350 W Through Hole 3mJ (off) Standard 70 A 170 nC 50ns/150ns - 960V, 35A, 5Ohm, 15V PLUS247™-3 - 60 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
    APT33GF120LRDQ2G

    APT33GF120LRDQ2G

    IGBT 1200V 64A 357W TO264

    Microchip Technology

    		 5,752 -
    询价单
    		APT33GF120LRDQ2G

    数据表

         		- TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete NPT 1200 V 75 A 3V @ 15V, 25A 357 W Through Hole 1.315mJ (on), 1.515mJ (off) Standard 64 A 170 nC 14ns/185ns - 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V TO-264 [L] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
    APT50GP60BG

    APT50GP60BG

    IGBT PT 600V 100A TO247

    Microchip Technology

    		 2,244 -
    询价单
    		APT50GP60BG

    数据表

         		POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active PT 600 V 190 A 2.7V @ 15V, 50A 625 W Through Hole 465µJ (on), 637µJ (off) Standard 100 A 165 nC 19ns/83ns - 400V, 50A, 5Ohm, 15V TO-247 [B] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
    IXDT30N120

    IXDT30N120

    IGBT NPT 1200V 60A TO268AA

    IXYS

    		 7,967 -
    询价单
    		IXDT30N120

    数据表

         		- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete NPT 1200 V - 2.9V @ 15V, 30A 300 W Surface Mount - Standard 60 A 120 nC - - - TO-268AA - - -55°C ~ 150°C (TJ)
    IXYR50N120C3D1

    IXYR50N120C3D1

    IGBT 1200V 56A 290W ISOPLUS247

    IXYS

    		 7,100 -
    询价单
    		IXYR50N120C3D1

    数据表

         		GenX3™, XPT™ TO-247-3 Tube Active - 1200 V 210 A 4V @ 15V, 50A 290 W Through Hole 3mJ (on), 1mJ (off) Standard 56 A 142 nC 28ns/133ns - 600V, 50A, 5Ohm, 15V ISOPLUS247™ - 195 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
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