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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IXFX48N55

IXFX48N55

MOSFET N-CH 48A PLUS247-3

IXYS

4,656 -
IXFX48N55

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXFT58N20-TRL

IXFT58N20-TRL

MOSFET N-CH 58A TO268

IXYS

5,176 -
IXFT58N20-TRL

数据表

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXFX220N15P

IXFX220N15P

MOSFET N-CH 220A PLUS247-3

IXYS

9,914 -
IXFX220N15P

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXFH1605

IXFH1605

MOSFET N-CH 16A TO247

IXYS

8,041 -
IXFH1605

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXFV110N25TS

IXFV110N25TS

MOSFET N-CH 110A PLUS220

IXYS

8,464 -
IXFV110N25TS

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXFT28N50F

IXFT28N50F

MOSFET N-CH 28A TO268

IXYS

8,196 -
IXFT28N50F

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXTA05N100P

IXTA05N100P

MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263

IXYS

5,591 -
IXTA05N100P

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXFT21N50

IXFT21N50

MOSFET N-CH 21A TO268

IXYS

9,366 -
IXFT21N50

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXFH1988

IXFH1988

MOSFET N-CH 19A TO247

IXYS

4,059 -
IXFH1988

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXFT21N50F

IXFT21N50F

MOSFET N-CH 21A TO268

IXYS

6,198 -
IXFT21N50F

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
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