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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SIE804DF-T1-GE3

SIE804DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 37A 10POLARPAK

Vishay Siliconix

6,047 -
SIE804DF-T1-GE3

数据表

TrenchFET® 10-PolarPAK® (LH) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 37A (Tc) 6V, 10V 38mOhm @ 7.6A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 105 nC @ 10 V 150 V ±20V 3000 pF @ 50 V - - 10-PolarPAK® (LH) - 5.2W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIE844DF-T1-GE3

SIE844DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 44.5A 10POLARPAK

Vishay Siliconix

2,437 -
SIE844DF-T1-GE3

数据表

TrenchFET® 10-PolarPAK® (U) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 44.5A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 12.1A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 44 nC @ 10 V 30 V ±20V 2150 pF @ 15 V - - 10-PolarPAK® (U) - 5.2W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIE848DF-T1-E3

SIE848DF-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK

Vishay Siliconix

8,045 -
SIE848DF-T1-E3

数据表

TrenchFET® 10-PolarPAK® (L) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60A (Tc) 4.5V, 10V 1.6mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 138 nC @ 10 V 30 V ±20V 6100 pF @ 15 V - - 10-PolarPAK® (L) - 5.2W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIE854DF-T1-E3

SIE854DF-T1-E3

MOSFET N-CH 100V 60A 10POLARPAK

Vishay Siliconix

6,915 -
SIE854DF-T1-E3

数据表

TrenchFET® 10-PolarPAK® (L) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60A (Tc) 10V 14.2mOhm @ 13.2A, 10V Surface Mount 4.4V @ 250µA 75 nC @ 10 V 100 V ±20V 3100 pF @ 50 V - - 10-PolarPAK® (L) - 5.2W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIE876DF-T1-GE3

SIE876DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 60A 10POLARPAK

Vishay Siliconix

8,438 -
SIE876DF-T1-GE3

数据表

TrenchFET® 10-PolarPAK® (L) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60A (Tc) 10V 6.1mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 4.4V @ 250µA 77 nC @ 10 V 60 V ±20V 3100 pF @ 30 V - - 10-PolarPAK® (L) - 5.2W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIHF8N50L-E3

SIHF8N50L-E3

MOSFET N-CH 500V 8A TO220

Vishay Siliconix

3,447 -
SIHF8N50L-E3

数据表

- TO-220-3 Full Pack Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8A (Tc) 10V 1Ohm @ 4A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 34 nC @ 0 V 500 V ±30V 873 pF @ 25 V - - TO-220 Full Pack - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIJ400DP-T1-GE3

SIJ400DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

5,921 -
SIJ400DP-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 32A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 150 nC @ 10 V 30 V ±20V 7765 pF @ 15 V - - PowerPAK® SO-8 - 5W (Ta), 69.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIJ484DP-T1-GE3

SIJ484DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

9,265 -
SIJ484DP-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 35A (Tc) 4.5V, 10V 6.3mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 45 nC @ 10 V 30 V ±20V 1600 pF @ 15 V - - PowerPAK® SO-8 - 5W (Ta), 27.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIJ800DP-T1-GE3

SIJ800DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

2,560 -
SIJ800DP-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 4.5V, 10V 9.5mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 56 nC @ 10 V 40 V ±20V 2400 pF @ 20 V - - PowerPAK® SO-8 - 4.2W (Ta), 35.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIR168DP-T1-GE3

SIR168DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

7,009 -
SIR168DP-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A (Tc) 4.5V, 10V 4.4mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 2.4V @ 250µA 75 nC @ 10 V 30 V ±20V 2040 pF @ 15 V - - PowerPAK® SO-8 - 5W (Ta), 34.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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