UMW|场效应晶体管（FETs）、MOSFETs - 页 5

厂商料号	库存情况	价格	数量	数据表	系列	封装/外壳	包装	产品状态	FET 类型	技术	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）	导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs	安装类型	栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id	栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs	漏极到源极电压 (Vdss)	栅极电压 (Vgs)（最大值）	输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds	认证	FET 特性	供应商设备封装	等级	功耗（最大值）	工作温度
FDN5630 MOSFET N-CH 60V 4A SOT23 UMW	3,000	-	询价单	数据表	*	-	Tape & Reel (TR)	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
FDN308P MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23 UMW	3,000	-	询价单	数据表	*	-	Tape & Reel (TR)	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
FDN306P MOSFET P-CH 12V 2.6A SOT23 UMW	3,000	-	询价单	数据表	*	-	Tape & Reel (TR)	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
FDN302P MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23 UMW	3,000	-	询价单	数据表	*	-	Tape & Reel (TR)	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
FDN352AP MOSFET P-CH 30V 1.3A SOT23 UMW	2,940	-	询价单	数据表	*	-	Cut Tape (CT)	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
FDN338P 20V 1.6A 500MW [email protected],1.6A 1 UMW	4,750	-	询价单	数据表	UMW	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Tape & Reel (TR)	Active	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	2.8A (Ta)	2.5V, 4.5V	112mOhm @ 2.8A, 4.5V	Surface Mount	1V @ 250µA	10 nC @ 4.5 V	20 V	±8V	405 pF @ 10 V	-	-	SOT-23	-	400mW (Ta)	150°C (TJ)
BSS84 50V 130MA 300MW 10R@5V,100MA 2V@ UMW	4,500	-	询价单	数据表	UMW	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Tape & Reel (TR)	Active	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	130mA (Ta)	5V	10Ohm @ 100mA, 5V	Surface Mount	2V @ 1mA	-	50 V	±20V	45 pF @ 25 V	-	-	SOT-23	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)
FDV303N MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23 UMW	2,990	-	询价单	数据表	*	-	Cut Tape (CT)	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
FDV301N MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23 UMW	2,950	-	询价单	数据表	*	-	Cut Tape (CT)	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
FDN327N MOSFET N-CH 20V 2A SOT23 UMW	2,448	-	询价单	数据表	*	-	Cut Tape (CT)	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

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