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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IRFR1018ETR

IRFR1018ETR

MOSFET N-CH 60V 56A DPAK

UMW

6,449 -
IRFR1018ETR

数据表

* TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 56A (Tc) 10V 8.4mOhm @ 47A, 10V Surface Mount 4V @ 100µA - 60 V ±20V - - - TO-252 (DPAK) - 110W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ)
STD10NF10L

STD10NF10L

MOSFET N-CH 100V 15A DPAK

UMW

3,445 -
STD10NF10L

数据表

* TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Tc) 4.5V, 10V 110mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA - 100 V ±20V - - - TO-252 (DPAK) - 55W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ)
IRFR3806TR

IRFR3806TR

MOSFET N-CH 60V 43A DPAK

UMW

2,699 -
IRFR3806TR

数据表

* TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 43A (Tc) 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 50µA - 60 V ±20V - - - TO-252 (DPAK) - 71W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ)
FDS3672

FDS3672

MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC

UMW

9,161 -
FDS3672

数据表

* - Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRLR3915TR

IRLR3915TR

MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

UMW

7,866 -
IRLR3915TR

数据表

* TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) 5V, 10V 14mOhm @ 30A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA - 55 V ±16V - - - TO-252 (DPAK) - 120W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ)
IRFR2405TR

IRFR2405TR

MOSFET N-CH 55V 56A DPAK

UMW

2,762 -
IRFR2405TR

数据表

* - Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BSS138

BSS138

MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23

UMW

2,638 -
BSS138

数据表

* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRLML6402

IRLML6402

20V 3.7A 1.3W [email protected],3.7A 950

UMW

6,000 -
IRLML6402

数据表

UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.7A (Ta) 2.5V, 4.5V 65mOhm @ 3.7A, 4.5V Surface Mount 950mV @ 250µA 12 nC @ 5 V 20 V ±12V 633 pF @ 10 V - - SOT-23 - 1.3W (Ta) 150°C (TJ)
IPD088N06N3G

IPD088N06N3G

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

UMW

4,744 -
IPD088N06N3G

数据表

* - Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRLML2246TR

IRLML2246TR

MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23

UMW

3,000 -
IRLML2246TR

数据表

* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.6A (Ta) 2.5V, 4.5V 135mOhm @ 2.6A, 4.5V Surface Mount 1.1V @ 10µA - 20 V ±12V - - - SOT-23-3 (TO-236) - 1.3W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ)
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