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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IRLL110TR

IRLL110TR

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

UMW

6,635 -
IRLL110TR

数据表

* - Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDS6676AS

FDS6676AS

MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC

UMW

7,223 -
FDS6676AS

数据表

* - Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRF7456TR

IRF7456TR

MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC

UMW

6,210 -
IRF7456TR

数据表

* - Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDS6680A

FDS6680A

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC

UMW

7,382 -
FDS6680A

数据表

* - Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
TPC8107

TPC8107

MOSFET P-CH 30V 13.5A 8SOIC

UMW

2,733 -
TPC8107

数据表

* 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10.9A (Ta) 4.5V, 10V 11mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA - 30 V ±20V - - - 8-SOIC - 2.5W (Ta), 5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRF7404TR

IRF7404TR

MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SOIC

UMW

2,413 -
IRF7404TR

数据表

* - Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NVD5C688NLT4G

NVD5C688NLT4G

MOSFET N-CH 60V 17A DPAK

UMW

2,093 -
NVD5C688NLT4G

数据表

* - Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRF7809AVTR

IRF7809AVTR

MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SOIC

UMW

3,853 -
IRF7809AVTR

数据表

* - Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FQD7N10LTM

FQD7N10LTM

MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

UMW

4,721 -
FQD7N10LTM

数据表

* - Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRF7821TR

IRF7821TR

MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SOIC

UMW

6,946 -
IRF7821TR

数据表

* - Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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