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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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STL300N4F8

STL300N4F8

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 40V,

STMicroelectronics

4,676 -
STL300N4F8

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
STL300N4LF8

STL300N4LF8

POWER FLAT 8L 6X5X1 P1.27

STMicroelectronics

8,612 -
STL300N4LF8

数据表

STripFET™ F8 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 4.5V, 10V 1mOhm @ 60A, 10V Surface Mount 2V @ 250µA 70 nC @ 10 V 40 V ±20V 5400 pF @ 25 V - - PowerFlat™ (5x6) - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STP80N600K6

STP80N600K6

N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,

STMicroelectronics

20 -
STP80N600K6

数据表

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7A (Tc) 10V 600mOhm @ 3A, 10V Through Hole 4V @ 100µA 10.7 nC @ 10 V 800 V ±30V 540 pF @ 400 V - - TO-220 - 86W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STO24N60M6

STO24N60M6

DISCRETE

STMicroelectronics

5,440 -
STO24N60M6

数据表

- 8-PowerSFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 17A (Tc) 10V 190mOhm @ 8.5A, 10V Surface Mount 4.75V @ 250µA 23 nC @ 10 V 600 V ±25V 960 pF @ 100 V - - TOLL (HV) - 142W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SGT120R65AL

SGT120R65AL

650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD

STMicroelectronics

6,377 -
SGT120R65AL

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 15A (Tc) 6V 120mOhm @ 5A, 6V Surface Mount 2.6V @ 12mA 3 nC @ 6 V 650 V +6V, -10V 125 pF @ 400 V - - PowerFlat™ (5x6) HV - 192W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SCT070H120G3-7

SCT070H120G3-7

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

STMicroelectronics

6,906 -
SCT070H120G3-7

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
STW70N65DM6-4

STW70N65DM6-4

MOSFET N-CH 650V 68A TO247-4

STMicroelectronics

7,461 -
STW70N65DM6-4

数据表

- TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 68A (Tc) 10V 40mOhm @ 34A, 10V Through Hole 4.75V @ 250µA 125 nC @ 10 V 650 V ±25V 4900 pF @ 100 V AEC-Q101 - TO-247-4 Automotive 450W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SCT040W65G3-4

SCT040W65G3-4

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

STMicroelectronics

2,863 -
SCT040W65G3-4

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
STWA65N045M9

STWA65N045M9

N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5

STMicroelectronics

4,116 -
STWA65N045M9

数据表

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 54A (Tc) 10V 45mOhm @ 28A, 10V Through Hole 4.2V @ 250µA 80 nC @ 10 V 650 V ±30V 4610 pF @ 400 V - - TO-247 Long Leads - 312W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SCT070W120G3-4

SCT070W120G3-4

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

STMicroelectronics

9,992 -
SCT070W120G3-4

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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