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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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RJL60S5DPP-E0#T2

RJL60S5DPP-E0#T2

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

45,900 -
RJL60S5DPP-E0#T2

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
H5N2305P-E

H5N2305P-E

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Renesas Electronics Corporation

310 -
H5N2305P-E

数据表

- TO-3PFM, SC-93-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 35A (Ta) 10V 700mOhm @ 6A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 105 nC @ 10 V 230 V ±30V - - - TO-3PFM - 60W (Tc) 150°C
4AK18

4AK18

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

6,497 -
4AK18

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJK1525DPP-MG#T2

RJK1525DPP-MG#T2

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

1,582 -
RJK1525DPP-MG#T2

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJK1536DPE-00#J3

RJK1536DPE-00#J3

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

86,960 -
RJK1536DPE-00#J3

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK2727-E

2SK2727-E

MOSFET N-CH 500V 10A

Renesas Electronics Corporation

1,050 -
2SK2727-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FX70KMJ-03#B00

FX70KMJ-03#B00

HIGH SPEED SWITCHING P CHANNEL ,

Renesas Electronics Corporation

4,775 -
FX70KMJ-03#B00

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FX50KMJ-06#B00

FX50KMJ-06#B00

HIGH SPEED SWITCHING P CHANNEL ,

Renesas Electronics Corporation

11,424 -
FX50KMJ-06#B00

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK2371(2)-A

2SK2371(2)-A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

21,569 -
2SK2371(2)-A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK2371-A

2SK2371-A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

277 -
2SK2371-A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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