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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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2SK3299B-S19-AY

2SK3299B-S19-AY

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

22,000 -
2SK3299B-S19-AY

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NE5550279A-T1A-A

NE5550279A-T1A-A

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

40,000 -
NE5550279A-T1A-A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK3326(9)AZ

2SK3326(9)AZ

DISCRETE / POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

379 -
2SK3326(9)AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
H5N2007FN-E

H5N2007FN-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

466 -
H5N2007FN-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
H7N0608LS90TL

H7N0608LS90TL

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

11,980 -
H7N0608LS90TL

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
H7N0608LS90TL-E

H7N0608LS90TL-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

2,000 -
H7N0608LS90TL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJL5012DPP-00#T2

RJL5012DPP-00#T2

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

28,718 -
RJL5012DPP-00#T2

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK2364(1)-AZ

2SK2364(1)-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

253 -
2SK2364(1)-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK2515-A

2SK2515-A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

246 -
2SK2515-A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK3510-Z-E1-AZ

2SK3510-Z-E1-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

1,000 -
2SK3510-Z-E1-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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