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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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RJK4007DPP-G2#T2

RJK4007DPP-G2#T2

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

456 -
RJK4007DPP-G2#T2

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJK4006DPP-G1#T2

RJK4006DPP-G1#T2

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

8,032 -
RJK4006DPP-G1#T2

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK2869-92STR

2SK2869-92STR

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

3,000 -
2SK2869-92STR

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK2869-91L

2SK2869-91L

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

1,271 -
2SK2869-91L

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
UPA2814T1S-E2-AT

UPA2814T1S-E2-AT

MOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON

Renesas Electronics Corporation

10,000 -
UPA2814T1S-E2-AT

数据表

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24A (Tc) 4.5V, 10V 7.8mOhm @ 24A, 5V Surface Mount - 74 nC @ 10 V 30 V ±20V 2800 pF @ 10 V - - 8-HWSON (3.3x3.3) - 1.5W (Ta) 150°C (TJ)
2SJ350

2SJ350

P-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

652 -
2SJ350

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK3225-Z-AZ

2SK3225-Z-AZ

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

761 -
2SK3225-Z-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK3993-ZK-E1-AZ

2SK3993-ZK-E1-AZ

MOSFET N-CH 25V 64A TO252

Renesas Electronics Corporation

20,000 -
2SK3993-ZK-E1-AZ

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 64A (Tc) - 3.8mOhm @ 32A, 10V Surface Mount 3V @ 1mA 88 nC @ 10 V 25 V - 4770 pF @ 10 V - - TO-252 (MP-3Z) - - -
2SK3814-AZ

2SK3814-AZ

MOSFET N-CH 60V 60A TO251

Renesas Electronics Corporation

6,430 -
2SK3814-AZ

数据表

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60A (Tc) - 8.7mOhm @ 30A, 10V Through Hole - 95 nC @ 10 V 60 V - 5450 pF @ 10 V - - TO-251 - 1W (Ta), 84W (Tc) 150°C (TJ)
RJK0230DPA-WS#J5A

RJK0230DPA-WS#J5A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

2,920 -
RJK0230DPA-WS#J5A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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