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    场效应晶体管（FETs）、MOSFETs

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)（最大值） 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗（最大值） 工作温度

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    UF3SC065030D8S

    UF3SC065030D8S

    SICFET N-CH 650V 18A 4DFN

    Qorvo

    		 7,817 -
    询价单
    		UF3SC065030D8S

    数据表

         		- 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 18A (Tc) 12V 42mOhm @ 20A, 12V Surface Mount 6V @ 10mA 43 nC @ 12 V 650 V ±25V 1500 pF @ 100 V - - 4-DFN (8x8) - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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