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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
UJ4C075044L8S

UJ4C075044L8S

750V/44MO,SICFET,G4,TOLL

Qorvo

9,752 -
UJ4C075044L8S

数据表

- 8-PowerSFN Bulk Active P-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 35.6A (Tc) 12V 56mOhm @ 25A, 12V Surface Mount 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V 750 V ±20V 1400 pF @ 400 V - - TOLL - 181W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
UF4C120070B7S

UF4C120070B7S

1200V/70MO,SICFET,G4,TO263-7

Qorvo

5,168 -
UF4C120070B7S

数据表

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Bulk Active P-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 25.7A (Tj) 12V 91mOhm @ 20A, 12V Surface Mount 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V 1200 V ±20V 1370 pF @ 800 V - - D2PAK-7L - 183W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
UJ4C075033L8S

UJ4C075033L8S

750V/33MO,SICFET,G4,TOLL

Qorvo

6,155 -
UJ4C075033L8S

数据表

- 8-PowerSFN Bulk Active P-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 44A (Tc) 12V 41mOhm @ 230A, 12V Surface Mount 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V 750 V ±20V 1400 pF @ 400 V - - TOLL - 205W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
UF4C120070B7SSR

UF4C120070B7SSR

1200V/70MO,SICFET,G4,TO263-7

Qorvo

2,870 -
UF4C120070B7SSR

数据表

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Bulk Active P-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 25.7A (Tj) 12V 91mOhm @ 20A, 12V Surface Mount 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V 1200 V ±20V 1370 pF @ 800 V - - D2PAK-7L - 183W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
UF4C120053B7S

UF4C120053B7S

1200V/53MO,SICFET,G4,TO263-7

Qorvo

7,517 -
UF4C120053B7S

数据表

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Bulk Active P-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 34A (Tj) 12V 67mOhm @ 20A, 12V Surface Mount 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V 1200 V ±20V 1370 pF @ 800 V - - D2PAK-7L - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
UJ4C075044L8SSR

UJ4C075044L8SSR

750V/44MO,SICFET,G4,TOLL

Qorvo

5,708 -
UJ4C075044L8SSR

数据表

- 8-PowerSFN Bulk Active P-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 35.6A (Tj) 12V 56mOhm @ 25A, 12V Surface Mount 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V 750 V ±20V 1400 pF @ 400 V - - TOLL - 181W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
UF4C120053B7SSR

UF4C120053B7SSR

1200V/53MO,SICFET,G4,TO263-7

Qorvo

9,864 -
UF4C120053B7SSR

数据表

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Bulk Active P-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 34A (Tj) 12V 67mOhm @ 20A, 12V Surface Mount 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V 1200 V ±20V 1370 pF @ 800 V - - D2PAK-7L - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
UJ4C075033L8SSR

UJ4C075033L8SSR

750V/33MO,SICFET,G4,TOLL

Qorvo

7,904 -
UJ4C075033L8SSR

数据表

- 8-PowerSFN Bulk Active P-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 44A (Tj) 12V 41mOhm @ 230A, 12V Surface Mount 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V 750 V ±20V 1400 pF @ 400 V - - TOLL - 205W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
UJ4C075060L8SSB

UJ4C075060L8SSB

750V/60MO,SICFET,G4,TOLL

Qorvo

2,260 -
UJ4C075060L8SSB

数据表

- 8-PowerSFN Bulk Active P-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 27.8A (Tj) 12V 74mOhm @ 20A, 12V Surface Mount 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V 750 V ±20V 1420 pF @ 400 V - - TOLL - 155W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
UJ4C075023L8S

UJ4C075023L8S

750V/23MO,SICFET,G4,TOLL

Qorvo

7,659 -
UJ4C075023L8S

数据表

- 8-PowerSFN Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 64A (Tc) 12V 29mOhm @ 40A, 12V Surface Mount 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V 750 V ±20V 1400 pF @ 400 V - - TOLL - 278W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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