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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
UJ4C075044K4S

UJ4C075044K4S

750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T

Qorvo

437 -
UJ4C075044K4S

数据表

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 37.4A (Tc) 12V 56mOhm @ 25A, 12V Through Hole 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V 750 V ±20V 1400 pF @ 400 V - - TO-247-4 - 203W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
UJ4C075033B7S

UJ4C075033B7S

750V/33MOHM, N-OFF SIC CASCODE,

Qorvo

526 -
UJ4C075033B7S

数据表

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 44A (Tc) 12V 41mOhm @ 30A, 12V Surface Mount 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V 750 V ±20V 1400 pF @ 400 V - - D2PAK-7 - 197W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
UF4C120053K3S

UF4C120053K3S

1200V/53MOHM, SIC, FAST CASCODE,

Qorvo

529 -
UF4C120053K3S

数据表

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 34A (Tc) 12V 67mOhm @ 20A, 12V Through Hole 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V 1200 V ±20V 1370 pF @ 800 V - - TO-247-3 - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
UF3SC065040B7S

UF3SC065040B7S

650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C

Qorvo

8,450 -
UF3SC065040B7S

数据表

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 43A (Tc) 12V 52mOhm @ 30A, 12V Surface Mount 6V @ 10mA 43 nC @ 12 V 650 V ±25V 1500 pF @ 100 V - - D2PAK-7 - 195W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
UF3C120080K3S

UF3C120080K3S

SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3

Qorvo

16,414 -
UF3C120080K3S

数据表

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 33A (Tc) 12V 100mOhm @ 20A, 12V Through Hole 6V @ 10mA 51 nC @ 15 V 1200 V ±25V 1500 pF @ 100 V - - TO-247-3 - 254.2W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
UF3C120080K4S

UF3C120080K4S

SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4

Qorvo

16,390 -
UF3C120080K4S

数据表

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 33A (Tc) 12V 100mOhm @ 20A, 12V Through Hole 6V @ 10mA 43 nC @ 12 V 1200 V ±25V 1500 pF @ 100 V - - TO-247-4 - 254.2W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
UJ3C065030B3

UJ3C065030B3

MOSFET N-CH 650V 65A TO263

Qorvo

4,289 -
UJ3C065030B3

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel - 65A (Tc) 12V 35mOhm @ 50A, 12V Surface Mount 6V @ 10mA 51 nC @ 15 V 650 V ±25V 1500 pF @ 100 V - - TO-263 (D2PAK) - 242W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
UF3C065030K3S

UF3C065030K3S

SICFET N-CH 650V 85A TO247-3

Qorvo

927 -
UF3C065030K3S

数据表

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 85A (Tc) 12V 35mOhm @ 50A, 12V Through Hole 6V @ 10mA 51 nC @ 15 V 650 V ±25V 1500 pF @ 100 V - - TO-247-3 - 441W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
UJ4C075060L8S

UJ4C075060L8S

750V/60MO,SICFET,G4,TOLL

Qorvo

6,698 -
UJ4C075060L8S

数据表

- 8-PowerSFN Bulk Active P-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 27.8A (Tc) 12V 74mOhm @ 20A, 12V Surface Mount 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V 750 V ±20V 1420 pF @ 400 V - - TOLL - 155W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
UJ4C075060L8SSR

UJ4C075060L8SSR

750V/60MO,SICFET,G4,TOLL

Qorvo

6,656 -
UJ4C075060L8SSR

数据表

- 8-PowerSFN Bulk Active P-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 27.8A (Tj) 12V 74mOhm @ 20A, 12V Surface Mount 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V 750 V ±20V 1420 pF @ 400 V - - TOLL - 155W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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