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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
UJ4SC075010L8SSR

UJ4SC075010L8SSR

750V/10MO,SICFET,G4,TOLL

Qorvo

6,475 -
UJ4SC075010L8SSR

数据表

- 8-PowerSFN Bulk Active N-Channel, Depletion Mode SiCFET (Silicon Carbide) 106A (Tc) 12V 14.2mOhm @ 60A, 12V Surface Mount 5.5V @ 10mA 75 nC @ 15 V 750 V ±20V 3245 pF @ 400 V - - TOLL - 556W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
UF4C120053B7SSB

UF4C120053B7SSB

1200V/53MO,SICFET,G4,TO263-7

Qorvo

3,156 -
UF4C120053B7SSB

数据表

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Bulk Active P-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 34A (Tj) 12V 67mOhm @ 20A, 12V Surface Mount 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V 1200 V ±20V 1370 pF @ 800 V - - D2PAK-7L - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
UF4SC120030B7SSB

UF4SC120030B7SSB

1200V/30MO,SICFET,G4,TO263-7

Qorvo

8,077 -
UF4SC120030B7SSB

数据表

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Bulk Active P-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 56A (Tj) 12V 39mOhm @ 20A, 12V Surface Mount 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V 1200 V ±20V 1450 pF @ 800 V - - D2PAK-7L - 341W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
UF4SC120023B7SSB

UF4SC120023B7SSB

1200V/23MO,SICFET,G4,TO263-7

Qorvo

8,156 -
UF4SC120023B7SSB

数据表

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Bulk Active N-Channel, Depletion Mode SiCFET (Silicon Carbide) 72A (Tj) 12V 30mOhm @ 40A, 12V Surface Mount 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V 1200 V ±20V 1430 pF @ 800 V - - D2PAK-7L - 385W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
UJ4SC075010L8SSB

UJ4SC075010L8SSB

750V/10MO,SICFET,G4,TOLL

Qorvo

9,945 -
UJ4SC075010L8SSB

数据表

- 8-PowerSFN Bulk Active N-Channel, Depletion Mode SiCFET (Silicon Carbide) 106A (Tc) 12V 14.2mOhm @ 60A, 12V Surface Mount 5.5V @ 10mA 75 nC @ 15 V 750 V ±20V 3245 pF @ 400 V - - TOLL - 556W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
UJ4SC075009B7S

UJ4SC075009B7S

750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC

Qorvo

48 -
UJ4SC075009B7S

数据表

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 106A (Tc) 12V 11.5mOhm @ 70A, 12V Surface Mount 5.5V @ 10mA 75 nC @ 15 V 750 V ±20V 3340 pF @ 400 V - - D2PAK-7 - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
UJ4SC075018L8S

UJ4SC075018L8S

SICFET N-CH 750V 53A TOLL

Qorvo

8,347 -
UJ4SC075018L8S

数据表

- 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 53A (Tc) 12V 23mOhm @ 50A, 12V Surface Mount 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V 750 V ±20V 1414 pF @ 400 V - - TOLL - 349W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
UJ4SC075008L8S

UJ4SC075008L8S

SICFET N-CH 750V 106A TOLL

Qorvo

9,776 -
UJ4SC075008L8S

数据表

- 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 106A (Tc) 12V 11.4mOhm @ 70A, 12V Surface Mount 5.5V @ 10mA 75 nC @ 15 V 750 V ±20V 3340 pF @ 400 V - - TOLL - 600W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
UF3C120150K3S

UF3C120150K3S

SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3

Qorvo

5,602 -
UF3C120150K3S

数据表

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 18.4A (Tc) - - Through Hole - - 1200 V - - - - TO-247-3 - - -
UF3SC065040D8S

UF3SC065040D8S

SICFET N-CH 650V 18A 4DFN

Qorvo

6,925 -
UF3SC065040D8S

数据表

- 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 18A (Tc) 12V 58mOhm @ 20A, 12V Surface Mount 6V @ 10mA 43 nC @ 12 V 650 V ±25V 1500 pF @ 100 V - - 4-DFN (8x8) - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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