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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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PSMQC040N08NS2_R2_00201

PSMQC040N08NS2_R2_00201

80V/ 4.4M/ BEST-IN-GLASS FOM MOS

Panjit International Inc.

6,000 -
PSMQC040N08NS2_R2_00201

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJQ5572A-AU_R2_002A1

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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

Panjit International Inc.

3,000 -
PJQ5572A-AU_R2_002A1

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJD45P03E-AU_L2_006A1

PJD45P03E-AU_L2_006A1

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

3,000 -
PJD45P03E-AU_L2_006A1

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11.2A (Ta), 42A (Tc) 4.5V, 10V 15mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 32 nC @ 10 V 30 V ±25V 1270 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-252AA Automotive 3W (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PJD55P03E-AU_L2_006A1

PJD55P03E-AU_L2_006A1

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

3,000 -
PJD55P03E-AU_L2_006A1

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12.4A (Ta), 48A (Tc) 4.5V, 10V 12.1mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 34 nC @ 10 V 30 V ±25V 1610 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-252AA Automotive 3W (Ta), 44W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PJD45N15S-AU_L2_006A1

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150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

Panjit International Inc.

3,000 -
PJD45N15S-AU_L2_006A1

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJD70N10SA-AU_L2_006A1

PJD70N10SA-AU_L2_006A1

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

Panjit International Inc.

2,990 -
PJD70N10SA-AU_L2_006A1

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJQ5540-AU_R2_002A1

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40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

3,000 -
PJQ5540-AU_R2_002A1

数据表

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 31A (Ta), 192A (Tc) 4.5V, 10V 1.88mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.3V @ 50µA 75 nC @ 10 V 40 V ±20V 4950 pF @ 25 V AEC-Q101 - DFN5060X-8L Automotive 3.3W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PJMB210N65EC_R2_00601

PJMB210N65EC_R2_00601

650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI

Panjit International Inc.

740 -
PJMB210N65EC_R2_00601

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 19A (Tc) 10V 210mOhm @ 9.5A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V 650 V ±30V 1412 pF @ 400 V - - TO-263 - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PJQ5540V-AU_R2_002A1

PJQ5540V-AU_R2_002A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

2,730 -
PJQ5540V-AU_R2_002A1

数据表

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 29.7A (Ta), 174A (Tc) 7V, 10V 2.1mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 3.5V @ 50µA 63 nC @ 10 V 40 V ±20V 4690 pF @ 25 V AEC-Q101 - DFN5060X-8L Automotive 3.3W (Ta), 115.4W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PJQ5592-AU_R2_002A1

PJQ5592-AU_R2_002A1

150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

Panjit International Inc.

3,000 -
PJQ5592-AU_R2_002A1

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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