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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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PJQ5542V-AU_R2_002A1

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40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

2,980 -
PJQ5542V-AU_R2_002A1

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24.8A (Ta), 136A (Tc) 7V, 10V 3mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 3.5V @ 50µA 43 nC @ 10 V 40 V ±20V 3050 pF @ 25 V AEC-Q101 - DFN5060-8 Automotive 3.3W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PJD50N04V-AU_L2_002A1

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40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

3,000 -
PJD50N04V-AU_L2_002A1

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16.8A (Ta), 80A (Tc) 7V, 10V 5.9mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 3.5V @ 50µA 23 nC @ 10 V 40 V ±20V 1287 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-252AA Automotive 3W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PSMQC074N10NS2_R2_00201

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100V/ 7.4M/ EXCELLECT LOW FOM MO

Panjit International Inc.

6,000 -
PSMQC074N10NS2_R2_00201

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJQ4464AP_R2_00001

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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

2,895 -
PJQ4464AP_R2_00001

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.3A (Ta), 33A (Tc) 4.5V, 10V 17mOhm @ 16A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 13.5 nC @ 4.5 V 60 V ±20V 1574 pF @ 25 V - - DFN3333-8 - 2W (Ta), 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PJL9436A1_R2_00001

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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

6,281 -
PJL9436A1_R2_00001

数据表

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8.3A (Ta) 4.5V, 10V 17mOhm @ 8.3A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 13.5 nC @ 4.5 V 60 V ±20V 1574 pF @ 25 V - - 8-SOP - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
PJQ5520-AU_R2_002A1

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30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET

Panjit International Inc.

3,000 -
PJQ5520-AU_R2_002A1

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJD95P04E-AU_L2_006A1

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40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

2,940 -
PJD95P04E-AU_L2_006A1

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJD75P04E-AU_L2_006A1

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40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

3,000 -
PJD75P04E-AU_L2_006A1

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 13.3A (Ta), 67A (Tc) 4.5V, 10V 9.4mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 59 nC @ 10 V 40 V ±25V 3477 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-252AA Automotive 3W (Ta), 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PJP125N06SA-AU_T0_006A1

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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

600 -
PJP125N06SA-AU_T0_006A1

数据表

- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJD1NA50_L2_00001

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500V N-CHANNEL MOSFET

Panjit International Inc.

3,988 -
PJD1NA50_L2_00001

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1A (Ta) 10V 9Ohm @ 500mA, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 4.2 nC @ 10 V 500 V ±30V 95 pF @ 25 V - - TO-252AA - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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