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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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700V N-CHANNEL MOSFET

Panjit International Inc.

5,948 -
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数据表

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2A (Ta) 10V 6.5Ohm @ 1A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 7.8 nC @ 10 V 700 V ±30V 260 pF @ 25 V - - TO-220AB - 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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650V N-CHANNEL MOSFET

Panjit International Inc.

4,832 -
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数据表

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.5A (Ta) 10V 1.2Ohm @ 3.75A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V 650 V ±30V 1245 pF @ 25 V - - ITO-220AB-F - 46W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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DFN2020B-6L, MOSFET

Panjit International Inc.

3,998 -
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数据表

- 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8A (Ta) 4.5V, 10V 18mOhm @ 8A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 4.3 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 392 pF @ 25 V - - DFN2020B-6 - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
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1000V N-CHANNEL MOSFET

Panjit International Inc.

9,727 -
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数据表

- TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2A (Ta) 10V 9Ohm @ 1A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V 1000 V ±30V 385 pF @ 25 V - - ITO-220AB - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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