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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
PJD80N06SA-AU_L2_006A1

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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

3,000 -
PJD80N06SA-AU_L2_006A1

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJD65N10SA-AU_L2_006A1

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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

Panjit International Inc.

2,990 -
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数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJQ5562A-AU_R2_002A1

PJQ5562A-AU_R2_002A1

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

1,990 -
PJQ5562A-AU_R2_002A1

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PSMQC078N10LS2_R2_00201

PSMQC078N10LS2_R2_00201

100V/ 7.8M/ EXCELLECT LOW FOM MO

Panjit International Inc.

5,840 -
PSMQC078N10LS2_R2_00201

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) - - - Surface Mount - - 100 V - - - - DFN5060-8 - - -
PJD25N04V-AU_L2_002A1

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40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

3,000 -
PJD25N04V-AU_L2_002A1

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Ta), 42A (Tc) 7V, 10V 11.3mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 3.5V @ 50µA 9.5 nC @ 10 V 40 V ±20V 681 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-252AA Automotive 3W (Ta), 36W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PJQ5574A-AU_R2_002A1

PJQ5574A-AU_R2_002A1

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

Panjit International Inc.

3,000 -
PJQ5574A-AU_R2_002A1

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJD55N04S-AU_L2_002A1

PJD55N04S-AU_L2_002A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

2,600 -
PJD55N04S-AU_L2_002A1

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 17.7A (Ta), 87A (Tc) 4.5V, 10V 5.3mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.3V @ 50µA 20 nC @ 10 V 40 V ±20V 1328 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-252AA Automotive 3W (Ta), 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PJQ5522-AU_R2_002A1

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30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET

Panjit International Inc.

3,000 -
PJQ5522-AU_R2_002A1

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJQ5449E-AU_R2_006A1

PJQ5449E-AU_R2_006A1

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

2,988 -
PJQ5449E-AU_R2_006A1

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJQ5419_R2_00001

PJQ5419_R2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

6,356 -
PJQ5419_R2_00001

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8.5A (Ta), 30A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 8A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 11 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 1169 pF @ 15 V - - DFN5060-8 - 2W (Ta), 27W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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