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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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PJQ5437E-AU_R2_006A1

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30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

2,970 -
PJQ5437E-AU_R2_006A1

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11.8A (Ta), 42A (Tc) 4.5V, 10V 15mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 32 nC @ 10 V 30 V ±25V 1270 pF @ 25 V AEC-Q101 - DFN5060-8 Automotive 3.3W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PSMQC280N10LS2_R2_00201

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100V/ 28M/ EXCELLECT LOW FOM MOS

Panjit International Inc.

6,000 -
PSMQC280N10LS2_R2_00201

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

5,000 -
PJQ4568AP-AU_R2_002A1

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET

Panjit International Inc.

3,000 -
PJQ5530-AU_R2_002A1

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO

Panjit International Inc.

3,000 -
PJQ5435E_R2_00201

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJQ4443P-AU_R2_000A1

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40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

759 -
PJQ4443P-AU_R2_000A1

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8.8A (Ta), 46A (Tc) 4.5V, 10V 12mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 23 nC @ 4.5 V 40 V ±20V 2767 pF @ 25 V AEC-Q101 - DFN3333-8 Automotive 2.1W (Ta), 59.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PJQ5435E-AU_R2_006A1

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30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

3,000 -
PJQ5435E-AU_R2_006A1

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 13.2A (Ta), 47A (Tc) 4.5V, 10V 12.1mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 34 nC @ 10 V 30 V ±25V 1610 pF @ 25 V AEC-Q101 - DFN5060-8 Automotive 3.3W (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET

Panjit International Inc.

3,000 -
PJQ5528-AU_R2_002A1

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJD9P06A_L2_00001

PJD9P06A_L2_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

952 -
PJD9P06A_L2_00001

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.5A (Ta), 7A (Tc) 4.5V, 10V 190mOhm @ 3.5A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V 60 V ±20V 430 pF @ 30 V - - TO-252AA - 2W (Ta), 15.6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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600V N-CHANNEL MOSFET

Panjit International Inc.

8,641 -
PJF12NA60_T0_00001

数据表

- TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Ta) 10V 700mOhm @ 6A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 24 nC @ 10 V 600 V ±30V 1492 pF @ 25 V - - ITO-220AB - 51W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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