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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
PJQ2568A_R1_00201

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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

3,000 -
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数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJQ5526_R2_00201

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30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET

Panjit International Inc.

2,990 -
PJQ5526_R2_00201

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJA3474S-AU_R1_007A1

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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

Panjit International Inc.

2,300 -
PJA3474S-AU_R1_007A1

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJD16P06A-AU_L2_000A1

PJD16P06A-AU_L2_000A1

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

8,847 -
PJD16P06A-AU_L2_000A1

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5A (Ta), 16A (Tc) 4.5V, 10V 48mOhm @ 8A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 22 nC @ 10 V 60 V ±20V 1256 pF @ 30 V AEC-Q101 - TO-252AA Automotive 2W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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100V N-CHANNEL MOSFET

Panjit International Inc.

4,715 -
PJD6N10A_L2_00001

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.7A (Ta), 6A (Tc) 4.5V, 10V 310mOhm @ 3A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 9.1 nC @ 10 V 100 V ±20V 508 pF @ 30 V - - TO-252AA - 2W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

8,209 -
PJD11N06A_L2_00001

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.7A (Ta), 11A (Tc) 4.5V, 10V 75mOhm @ 6A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 9.3 nC @ 10 V 60 V ±20V 509 pF @ 15 V - - TO-252AA - 2W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PJD80N04_L2_00001

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40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

507 -
PJD80N04_L2_00001

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14A (Ta), 80A (Tc) 4.5V, 10V 5.5mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 25 nC @ 4.5 V 40 V ±20V 1258 pF @ 25 V - - TO-252AA - 2W (Ta), 66W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET

Panjit International Inc.

5,000 -
PJQ4534P-AU_R2_002A1

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJQ2566A_R1_00201

PJQ2566A_R1_00201

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

3,000 -
PJQ2566A_R1_00201

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJQ5443_R2_00001

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40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

7,975 -
PJQ5443_R2_00001

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9A (Ta), 50A (Tc) 4.5V, 10V 12mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 23 nC @ 4.5 V 40 V ±20V 2767 pF @ 25 V - - DFN5060-8 - 2W (Ta), 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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