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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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PJQ4435EP-AU_R2_002A1

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30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

5,000 -
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数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11.2A (Ta), 45A (Tc) 4.5V, 10V 12.5mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 34 nC @ 10 V 30 V ±25V 1610 pF @ 25 V AEC-Q101 - DFN3333-8 Automotive 2.5W (Ta), 41W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PJQ5439E-AU_R2_006A1

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30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

2,970 -
PJQ5439E-AU_R2_006A1

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10.5A (Ta), 33A (Tc) 4.5V, 10V 18.8mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 22 nC @ 10 V 30 V ±25V 1012 pF @ 25 V AEC-Q101 - DFN5060-8 Automotive 3.3W (Ta), 33W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PJD45P04_L2_00001

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40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

3,075 -
PJD45P04_L2_00001

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8.5A (Ta), 45A (Tc) 4.5V, 10V 17mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V 40 V ±20V 2030 pF @ 25 V - - TO-252AA - 2W (Ta), 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO

Panjit International Inc.

5,000 -
PJQ4433EP_R2_00201

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET

Panjit International Inc.

5,000 -
PJQ4524P-AU_R2_002A1

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJQ5437E_R2_00201

PJQ5437E_R2_00201

30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO

Panjit International Inc.

3,000 -
PJQ5437E_R2_00201

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJQ5548-AU_R2_002A1

PJQ5548-AU_R2_002A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

2,775 -
PJQ5548-AU_R2_002A1

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14.5A (Ta), 48A (Tc) 4.5V, 10V 8.8mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.3V @ 50µA 13 nC @ 10 V 40 V ±20V 778 pF @ 25 V AEC-Q101 - DFN5060-8 Automotive 3.3W (Ta), 36W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET

Panjit International Inc.

5,000 -
PJQ4528P-AU_R2_002A1

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJQ5548V-AU_R2_002A1

PJQ5548V-AU_R2_002A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

3,000 -
PJQ5548V-AU_R2_002A1

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 13.6A (Ta), 45A (Tc) 7V, 10V 10mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 3.5V @ 50µA 9.5 nC @ 10 V 40 V ±20V 673 pF @ 25 V AEC-Q101 - DFN5060-8 Automotive 3.3W (Ta), 36W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PJQ5534-AU_R2_002A1

PJQ5534-AU_R2_002A1

30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET

Panjit International Inc.

3,000 -
PJQ5534-AU_R2_002A1

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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