富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
PJQ4526P_R2_00201

PJQ4526P_R2_00201

30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET

Panjit International Inc.

5,000 -
PJQ4526P_R2_00201

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJQ5528_R2_00201

PJQ5528_R2_00201

30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET

Panjit International Inc.

3,000 -
PJQ5528_R2_00201

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJW5P06A-AU_R2_000A1

PJW5P06A-AU_R2_000A1

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

2,997 -
PJW5P06A-AU_R2_000A1

数据表

- TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5A (Ta) 4.5V, 10V 68mOhm @ 5A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 17 nC @ 10 V 60 V ±20V 879 pF @ 30 V AEC-Q101 - SOT-223 Automotive 3.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
PJP60R540E_T0_00001

PJP60R540E_T0_00001

600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO

Panjit International Inc.

7,083 -
PJP60R540E_T0_00001

数据表

- TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.3A (Ta), 9A (Tc) 10V 535mOhm @ 2.8A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 23.7 nC @ 10 V 600 V ±20V 531 pF @ 25 V - - TO-220AB - 94W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PJP10NA60_T0_00001

PJP10NA60_T0_00001

600V N-CHANNEL MOSFET

Panjit International Inc.

6,245 -
PJP10NA60_T0_00001

数据表

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Ta) 10V 900mOhm @ 5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 23 nC @ 10 V 600 V ±30V 1192 pF @ 25 V - - TO-220AB - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PJD25N04_L2_00001

PJD25N04_L2_00001

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

4,824 -
PJD25N04_L2_00001

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.9A (Ta), 21A (Tc) 4.5V, 10V 32mOhm @ 12A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 4.4 nC @ 4.5 V 40 V ±20V 425 pF @ 25 V - - TO-252AA - 2W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PJQ2408_R1_00001

PJQ2408_R1_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

2,380 -
PJQ2408_R1_00001

数据表

- 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Ta) 4.5V, 10V 11.5mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 6.9 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 781 pF @ 25 V - - DFN2020B-6 - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
PJQ4439EP-AU_R2_002A1

PJQ4439EP-AU_R2_002A1

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

4,955 -
PJQ4439EP-AU_R2_002A1

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9A (Ta), 31A (Tc) 4.5V, 10V 19.1mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 22 nC @ 10 V 30 V ±25V 1012 pF @ 25 V AEC-Q101 - DFN3333-8 Automotive 2.5W (Ta), 30W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PJQ4435EP_R2_00201

PJQ4435EP_R2_00201

30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO

Panjit International Inc.

5,000 -
PJQ4435EP_R2_00201

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJQ4526P-AU_R2_002A1

PJQ4526P-AU_R2_002A1

30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET

Panjit International Inc.

5,000 -
PJQ4526P-AU_R2_002A1

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
共 574 条记录«上一页1... 910111213141516...58下一页»
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户