富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
W108CED180

W108CED180

DIODE GEN PURP 1.8KV 10815A W112

IXYS

6,999 -
W108CED180

数据表

- DO-200AE Box Active Standard 1800 V - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - 10815A - - Chassis Mount W112 -
W108CED220

W108CED220

DIODE GEN PURP 2.2KV 10815A W112

IXYS

5,818 -
W108CED220

数据表

- DO-200AE Box Active Standard 2200 V - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - 10815A - - Chassis Mount W112 -
W7395ED450

W7395ED450

DIODE GEN PURP 2.7KV 7395A W112

IXYS

6,093 -
W7395ED450

数据表

- DO-200AE Box Active Standard 2700 V 1.4 V @ 7000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 69 µs 120 mA @ 2700 V - 7395A - - Chassis Mount W112 -40°C ~ 160°C
E1250HC45E

E1250HC45E

DIODE GEN PURP 4.5KV 1355A W122

IXYS

2,783 -
E1250HC45E

数据表

- DO-200AD Box Active Standard 4500 V 2.07 V @ 1250 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.2 µs 1 mA @ 4500 V - 1355A - - Chassis Mount W122 -
W7395ED480

W7395ED480

DIODE GEN PURP 2.88KV 7395A W112

IXYS

2,880 -
W7395ED480

数据表

- DO-200AE Box Active Standard 2880 V 1.4 V @ 7000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 69 µs 120 mA @ 2880 V - 7395A - - Chassis Mount W112 -40°C ~ 160°C
W6360EC600

W6360EC600

DIODE GEN PURP 6KV 6395A W111

IXYS

4,051 -
W6360EC600

数据表

- DO-200AE Box Active Standard 6000 V 1.4 V @ 4000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 73 µs 120 mA @ 6000 V - 6395A - - Chassis Mount W111 -40°C ~ 150°C
W5715ED600

W5715ED600

DIODE GEN PURP 6KV 5750A W112

IXYS

9,925 -
W5715ED600

数据表

- DO-200AE Box Active Standard 6000 V 1.4 V @ 4000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 73 µs 120 mA @ 6000 V - 5750A - - Chassis Mount W112 -40°C ~ 150°C
E2400EC45E

E2400EC45E

DIODE GEN PURP 4.5KV 2490A W111

IXYS

2,780 -
E2400EC45E

数据表

- DO-200AE Box Active Standard 4500 V 3.65 V @ 2400 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.22 µs 100 mA @ 4500 V - 2490A - - Chassis Mount W111 -40°C ~ 140°C
E3000EC45E

E3000EC45E

DIODE GEN PURP 4.5KV 3410A W111

IXYS

9,075 -
E3000EC45E

数据表

- DO-200AE Box Active Standard 4500 V 3.1 V @ 3000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.25 µs 90 mA @ 4500 V - 3410A - - Chassis Mount W111 -40°C ~ 140°C
E1780TG65E

E1780TG65E

DIODE GEN PURP 3.6KV 1780A -

IXYS

8,071 -
E1780TG65E

数据表

SONIC-FRD™ TO-200AF Box Active Standard 3600 V 3.83 V @ 1780 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.22 µs 100 mA @ 3600 V - 1780A - - Chassis Mount - -40°C ~ 140°C
共 463 条记录«上一页1... 3536373839404142...47下一页»
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户