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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
W5139TJ480

W5139TJ480

DIODE GEN PURP 4.8KV 5139A W89

IXYS

2,000 -
W5139TJ480

数据表

- DO-200AE Box Active Standard 4800 V 1.25 V @ 3000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 57 µs 100 mA @ 4800 V - 5139A - - Chassis Mount W89 -40°C ~ 160°C
W6262ZC240

W6262ZC240

DIODE GEN PURP 2.4KV 6262A W7

IXYS

7,777 -
W6262ZC240

数据表

- DO-200AE Box Active Standard 2400 V 1.18 V @ 6800 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 150 mA @ 2400 V - 6262A - - Chassis Mount W7 -40°C ~ 175°C
W5282ZC240

W5282ZC240

DIODE GEN PURP 2.4KV 5282A W7

IXYS

7,360 -
W5282ZC240

数据表

- DO-200AE Box Active Standard 2400 V 1.35 V @ 6000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 mA @ 2400 V - 5282A - - Chassis Mount W7 -55°C ~ 160°C
W5282ZC300

W5282ZC300

DIODE GEN PURP 3KV 5282A W7

IXYS

2,080 -
W5282ZC300

数据表

- DO-200AE Box Active Standard 3000 V 1.35 V @ 6000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 mA @ 3000 V - 5282A - - Chassis Mount W7 -55°C ~ 160°C
M1583VF450

M1583VF450

DIODE GEN PURP 4.5KV 1583A W43

IXYS

9,383 -
M1583VF450

数据表

- DO-200AD Box Active Standard 4500 V 2.8 V @ 2000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 150 mA @ 4500 V - 1583A - - Chassis Mount W43 -40°C ~ 150°C
M1565VF450

M1565VF450

DIODE GEN PURP 4.5KV 1565A W43

IXYS

9,398 -
M1565VF450

数据表

- DO-200AD Box Active Standard 4500 V 1.8 V @ 2000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 100 mA @ 4500 V - 1565A - - Chassis Mount W43 -40°C ~ 125°C
M2325HA400

M2325HA400

DIODE GEN PURP 4KV 2325A W121

IXYS

2,060 -
M2325HA400

数据表

- DO-200AD Box Active Standard 4000 V 2.6 V @ 2500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5.4 µs 150 mA @ 4000 V - 2325A - - Chassis Mount W121 -40°C ~ 150°C
W2865HA680

W2865HA680

DIODE GEN PURP 6.8KV 4825A W121

IXYS

5,158 -
W2865HA680

数据表

- DO-200AD Box Active Standard 6800 V 4.04 V @ 10000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 53 µs 100 mA @ 6800 V - 4825A - - Chassis Mount W121 -40°C ~ 150°C
M2325HA450

M2325HA450

DIODE GEN PURP 4.5KV 2325A W121

IXYS

9,387 -
M2325HA450

数据表

- DO-200AD Box Active Standard 4500 V 2.6 V @ 2500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5.4 µs 150 mA @ 4500 V - 2325A - - Chassis Mount W121 -40°C ~ 150°C
W2865HA720

W2865HA720

DIODE GEN PURP 7200V 4825A W121

IXYS

5,150 -
W2865HA720

数据表

- DO-200AD Box Active Standard 7200 V 4.04 V @ 10000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 53 µs 100 mA @ 7200 V - 4825A - - Chassis Mount W121 -40°C ~ 150°C
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