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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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W6672TJ350

W6672TJ350

DIODE GEN PURP 1.9KV 6672A -

IXYS

4,856 -
W6672TJ350

数据表

- TO-200AF Box Active Standard 1900 V 1.37 V @ 5000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 52 µs 100 mA @ 1900 V - 6672A - - Chassis Mount TO-200AF -40°C ~ 160°C
W5984TJ400

W5984TJ400

DIODE GEN PURP 4KV 5984A W89

IXYS

7,878 -
W5984TJ400

数据表

- DO-200AE Box Active Standard 4000 V 1.25 V @ 5000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 47 µs 100 mA @ 4000 V - 5984A - - Chassis Mount W89 -40°C ~ 160°C
W5984TE360

W5984TE360

DIODE GEN PURP 3.6KV 5984A W94

IXYS

5,915 -
W5984TE360

数据表

- DO-200AE Box Active Standard 3600 V 1.25 V @ 5000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 47 µs 100 mA @ 3600 V - 5984A - - Chassis Mount W94 -40°C ~ 160°C
W3090HA600

W3090HA600

DIODE GEN PURP 6KV 3110A W121

IXYS

3,827 -
W3090HA600

数据表

- DO-200AD Box Active Standard 6000 V 1.7 V @ 3000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 41 µs 100 mA @ 6000 V - 3110A - - Chassis Mount W121 -40°C ~ 150°C
W5984TE400

W5984TE400

DIODE GEN PURP 4KV 5984A W94

IXYS

4,859 -
W5984TE400

数据表

- DO-200AE Box Active Standard 4000 V 1.25 V @ 5000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 47 µs 100 mA @ 4000 V - 5984A - - Chassis Mount W94 -40°C ~ 160°C
MDO1200-14N1

MDO1200-14N1

DIODE GEN PURP 1.4KV Y1-CU

IXYS

2,814 -
MDO1200-14N1

数据表

- Y1-CU Tray Obsolete Standard 1400 V - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - - Chassis Mount Y1-CU -
MDO1200-16N1

MDO1200-16N1

DIODE GEN PURP 1.6KV Y1-CU

IXYS

9,030 -
MDO1200-16N1

数据表

- Y1-CU Tray Obsolete Standard 1600 V - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - - Chassis Mount Y1-CU -
W6672TE320

W6672TE320

DIODE GEN PURP 1.75KV 6672A -

IXYS

8,239 -
W6672TE320

数据表

- TO-200AF Box Active Standard 1750 V 1.37 V @ 5000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 52 µs 100 mA @ 1750 V - 6672A - - Chassis Mount TO-200AF -40°C ~ 160°C
W6672TE350

W6672TE350

DIODE GEN PURP 1.9KV 6672A -

IXYS

4,199 -
W6672TE350

数据表

- TO-200AF Box Active Standard 1900 V 1.37 V @ 5000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 52 µs 100 mA @ 1900 V - 6672A - - Chassis Mount TO-200AF -40°C ~ 160°C
W6262ZC200

W6262ZC200

DIODE GEN PURP 2KV 6262A W7

IXYS

6,957 -
W6262ZC200

数据表

- DO-200AE Box Active Standard 2000 V 1.18 V @ 6800 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 150 mA @ 2000 V - 6262A - - Chassis Mount W7 -40°C ~ 175°C
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