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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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W7045MC030

W7045MC030

DIODE GEN PURP 300V 7045A W54

IXYS

3,599 -
W7045MC030

数据表

- DO-200AC, K-PUK Box Active Standard 300 V 1.49 V @ 21000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 17.7 µs 50 mA @ 300 V - 7045A - - Clamp On W54 -40°C ~ 190°C
W7045MC060

W7045MC060

DIODE GEN PURP 600V 7045A W54

IXYS

2,352 -
W7045MC060

数据表

- DO-200AC, K-PUK Box Active Standard 600 V 1.49 V @ 21000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 17.7 µs 50 mA @ 600 V - 7045A - - Clamp On W54 -40°C ~ 190°C
M1104NC450

M1104NC450

DIODE GEN PURP 4.5KV 1104A W5

IXYS

5,197 -
M1104NC450

数据表

- DO-200AC, K-PUK Box Active Standard 4500 V 2.2 V @ 1500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 6 µs 50 mA @ 4500 V - 1104A - - Clamp On W5 -40°C ~ 125°C
W1975MC650

W1975MC650

DIODE GEN PURP 6.5KV 1975A W54

IXYS

8,188 -
W1975MC650

数据表

- DO-200AC, K-PUK Box Active Standard 6500 V 3.95 V @ 4200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 45 µs 100 mA @ 6500 V - 1975A - - Clamp On W54 -40°C ~ 150°C
M2505MC200

M2505MC200

DIODE GEN PURP 2KV 2505A W54

IXYS

8,050 -
M2505MC200

数据表

- DO-200AC, K-PUK Box Active Standard 2000 V 991 mV @ 2000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 7.6 µs - - 2505A - - Clamp On W54 -
W1975MC680

W1975MC680

DIODE GEN PURP 6.8KV 1975A W54

IXYS

5,686 -
W1975MC680

数据表

- DO-200AC, K-PUK Box Active Standard 6800 V 3.95 V @ 4200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 45 µs 100 mA @ 6800 V - 1975A - - Clamp On W54 -40°C ~ 150°C
M2505MC250

M2505MC250

DIODE GEN PURP 2.5KV 2505A W54

IXYS

2,279 -
M2505MC250

数据表

- DO-200AC, K-PUK Box Active Standard 2500 V 991 mV @ 2000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 7.6 µs - - 2505A - - Clamp On W54 -
MDO1201-22N1

MDO1201-22N1

DIODE GEN PURP 2.2KV 1950A

IXYS

3,928 -
MDO1201-22N1

数据表

- Module Box Active Standard 2200 V 1.15 V @ 3400 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 70 µA @ 2200 V - 1950A - - Chassis Mount - -
W6672TJ320

W6672TJ320

DIODE GEN PURP 1.75KV 6672A -

IXYS

9,851 -
W6672TJ320

数据表

- TO-200AF Box Active Standard 1750 V 1.37 V @ 5000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 52 µs 100 mA @ 1750 V - 6672A - - Chassis Mount TO-200AF -40°C ~ 160°C
W5984TJ360

W5984TJ360

DIODE GEN PURP 3.6KV 5984A W89

IXYS

9,186 -
W5984TJ360

数据表

- DO-200AE Box Active Standard 3600 V 1.25 V @ 5000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 47 µs 100 mA @ 3600 V - 5984A - - Chassis Mount W89 -40°C ~ 160°C
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