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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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C4D10120H

C4D10120H

DIODE SIL CARB 1.2KV 31.5A TO247

Wolfspeed, Inc.

1,226 -
C4D10120H

数据表

Z-Rec® TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 754pF @ 0V, 1MHz 31.5A - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
C4D15120H

C4D15120H

DIODE SIL CARB 1.2KV 39A TO247-2

Wolfspeed, Inc.

420 -
C4D15120H

数据表

Z-Rec® TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1200pF @ 0V, 1MHz 39A - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
E4D20120A

E4D20120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 54.5A TO220

Wolfspeed, Inc.

453 -
E4D20120A

数据表

E-Series TO-220-2 Tube Last Time Buy SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1500pF @ 0V, 1MHz 54.5A Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
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