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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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C3D16065D1

C3D16065D1

DIODE SIL CARBIDE 650V TO247-3

Wolfspeed, Inc.

651 -
C3D16065D1

数据表

Z-Rec® TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.8 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 95 µA @ 650 V 740pF @ 0V, 1MHz 43A - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
C4D08120E

C4D08120E

DIODE SIL CARB 1.2KV 24.5A TO252

Wolfspeed, Inc.

863 -
C4D08120E

数据表

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 3 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 560pF @ 0V, 1MHz 24.5A - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
E4D10120A

E4D10120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

386 -
E4D10120A

数据表

E-Series TO-220-2 Tube Last Time Buy SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 200 µA @ 1200 V 777pF @ 0V, 1MHz 33A Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
C4D20120H

C4D20120H

DIODE SIL CARB 1.2KV 54A TO247-2

Wolfspeed, Inc.

410 -
C4D20120H

数据表

Z-Rec® TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1500pF @ 0V, 1MHz 54A - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
E4D20120G

E4D20120G

DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

2,376 -
E4D20120G

数据表

E-Series TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Last Time Buy SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1474pF @ 0V, 1MHz 56A Automotive - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
C4D30120H

C4D30120H

DIODE SIL CARB 1.2KV 94A TO247-2

Wolfspeed, Inc.

780 -
C4D30120H

数据表

- TO-247-2 Bulk Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 250 µA @ 1200 V 2177pF @ 0V, 1MHz 94A - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
C6D50065H

C6D50065H

SIC, SCHOTTKY DIODE, 136A, 650V,

Wolfspeed, Inc.

1,383 -
C6D50065H

数据表

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 100 µA @ 650 V 2819pF @ 0V, 1MHz 136A - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
C4D20120A

C4D20120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 54.5A TO220

Wolfspeed, Inc.

5,493 -
C4D20120A

数据表

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1500pF @ 0V, 1MHz 54.5A - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
C6D25170H

C6D25170H

2 5A 1700V SIC, SCHOTTKY DIODE

Wolfspeed, Inc.

539 -
C6D25170H

数据表

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 1.7 V @ 25 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 45 µA @ 1700 V 3108pF @ 0V, 1MHz 83A - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
C2D05120E

C2D05120E

DIODE SIL CARB 1.2KV 17.5A TO252

Wolfspeed, Inc.

2,115 -
C2D05120E

数据表

Zero Recovery™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 455pF @ 0V, 1MHz 17.5A - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
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