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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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C6D06065Q-TR

C6D06065Q-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 21A 4QFN

Wolfspeed, Inc.

2,173 -
C6D06065Q-TR

数据表

- 4-PowerVQFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 650 V 393pF @ 0V, 1MHz 21A - - Surface Mount 4-QFN (8x8) -55°C ~ 175°C
C6D06065G

C6D06065G

DIODE SIL CARB 650V 23A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

1,121 -
C6D06065G

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.4 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 393pF @ 0V, 1MHz 23A - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
C6D06065A

C6D06065A

DIODE SIL CARB 650V 24A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

773 -
C6D06065A

数据表

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 394pF @ 0V, 1MHz 24A - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
C3D04065A

C3D04065A

DIODE SIL CARB 650V 13.5A TO220

Wolfspeed, Inc.

1,184 -
C3D04065A

数据表

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.8 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 251pF @ 0V, 1MHz 13.5A - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
C6D08065E

C6D08065E

DIODE SIL CARB 650V 29A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

767 -
C6D08065E

数据表

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.5 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 518pF @ 0V, 1MHz 29A - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
C6D08065G

C6D08065G

DIODE SIL CARB 650V 30A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

653 -
C6D08065G

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.4 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 518pF @ 0V, 1MHz 30A - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
C3D06065E

C3D06065E

DIODE SIL CARB 650V 20A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

1,387 -
C3D06065E

数据表

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Not For New Designs SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 295pF @ 0V, 1MHz 20A - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
C6D10065G-TR

C6D10065G-TR

DIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

1,525 -
C6D10065G-TR

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.4 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 611pF @ 0V, 1MHz 36A - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
C6D10065G

C6D10065G

DIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

253 -
C6D10065G

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.4 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 611pF @ 0V, 1MHz 36A - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
C3D10065I

C3D10065I

DIODE SIL CARB 650V 19A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

1,325 -
C3D10065I

数据表

Z-Rec® TO-220-2 Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 480pF @ 0V, 1MHz 19A - - Through Hole TO-220-2 Isolated Tab -55°C ~ 175°C
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