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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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C3D08065I

C3D08065I

DIODE SIL CARB 650V 16.5A TO220

Wolfspeed, Inc.

178 -
C3D08065I

数据表

Z-Rec® TO-220-2 Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 441pF @ 0V, 1MHz 16.5A - - Through Hole TO-220-2 Isolated Tab -55°C ~ 175°C
C3D16065A

C3D16065A

DIODE SIL CARB 650V 39A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

1,048 -
C3D16065A

数据表

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.8 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 95 µA @ 650 V 878pF @ 0V, 1MHz 39A - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
C6D20065A

C6D20065A

DIODE SIL CARB 650V 66A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

351 -
C6D20065A

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 650 V 1153pF @ 0V, 1MHz 66A - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
C2D05120E-TR

C2D05120E-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 17.5A TO252

Wolfspeed, Inc.

8,288 -
C2D05120E-TR

数据表

Zero Recovery™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 455pF @ 0V, 1MHz 17.5A - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
C3D03065E

C3D03065E

DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

2,356 -
C3D03065E

数据表

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.8 V @ 3 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 155pF @ 0V, 1MHz 11A - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
C3D06065A

C3D06065A

DIODE SIL CARB 650V 19A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

839 -
C3D06065A

数据表

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.8 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 294pF @ 0V, 1MHz 19A - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
C6D08065Q-TR

C6D08065Q-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 28A 4QFN

Wolfspeed, Inc.

2,110 -
C6D08065Q-TR

数据表

- 4-PowerVQFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.5 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 650 V 518pF @ 0V, 1MHz 28A - - Surface Mount 4-QFN (8x8) -55°C ~ 175°C
C3D12065A

C3D12065A

DIODE SIL CARB 650V 35A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

1,747 -
C3D12065A

数据表

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.8 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 74 µA @ 650 V 641.5pF @ 0V, 1MHz 35A - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
C3D10065A

C3D10065A

DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

938 -
C3D10065A

数据表

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 480pF @ 0V, 1MHz 30A - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
C3D08065A

C3D08065A

DIODE SIL CARB 650V 24A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

718 -
C3D08065A

数据表

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 441pF @ 0V, 1MHz 24A - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
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