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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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JAN1N5195UR/TR

JAN1N5195UR/TR

DIODE GP 180V 200MA DO213AA

Microchip Technology

9,430 -
JAN1N5195UR/TR

数据表

- DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Standard 180 V 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - - - 200mA Military MIL-PRF-19500/118 Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
1N6304

1N6304

DIODE GEN PURP 50V 70A DO5

Microchip Technology

9,795 -
1N6304

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 50 V 1.18 V @ 150 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 25 µA @ 50 V 600pF @ 10V, 1MHz 70A - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -65°C ~ 175°C
1N6304R

1N6304R

DIODE GEN PURP 50V 70A DO5

Microchip Technology

2,686 -
1N6304R

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 50 V 1.18 V @ 150 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 25 µA @ 50 V 600pF @ 10V, 1MHz 70A - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -65°C ~ 175°C
1N6305

1N6305

DIODE GEN PURP 100V 70A DO5

Microchip Technology

6,046 -
1N6305

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 100 V 1.18 V @ 150 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 25 µA @ 100 V 600pF @ 10V, 1MHz 70A - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -65°C ~ 175°C
1N6305R

1N6305R

DIODE GEN PURP 100V 70A DO5

Microchip Technology

4,174 -
1N6305R

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V 1.18 V @ 150 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 25 µA @ 100 V 600pF @ 10V, 1MHz 70A - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -65°C ~ 175°C
1N6306R

1N6306R

DIODE GEN PURP 150V 70A DO5

Microchip Technology

8,732 -
1N6306R

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 150 V 1.18 V @ 150 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 25 µA @ 150 V 600pF @ 10V, 1MHz 70A - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -65°C ~ 175°C
JANTXV1N5822US

JANTXV1N5822US

DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

5,501 -
JANTXV1N5822US

数据表

- SQ-MELF, B Bulk Active Schottky 40 V 500 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - - - 3A Military MIL-PRF-19500/620 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 150°C
JANTXV1N5822US/TR

JANTXV1N5822US/TR

DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

2,087 -
JANTXV1N5822US/TR

数据表

- SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Schottky 40 V 500 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - - - 3A Military MIL-PRF-19500/620 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 150°C
R50420TS

R50420TS

DIODE GP 200V 300A DO205AB DO9

Microchip Technology

7,411 -
R50420TS

数据表

- DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 1.25 V @ 1000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 75 µA @ 200 V - 300A - - Stud Mount DO-205AB (DO-9) -65°C ~ 200°C
APTDF500U20G

APTDF500U20G

DIODE GEN PURP 200V 500A LP4

Microchip Technology

8,026 -
APTDF500U20G

数据表

- LP4 Bulk Active Standard 200 V 1.1 V @ 500 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 70 ns 2.5 mA @ 200 V - 500A - - Chassis Mount LP4 -
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